18A 공정 넘어 팬서레이크까지... 인텔-ASML, 하이 NA EUV 웨이퍼 100만장 돌파 작성일 09-08 47 목록 <div id="layerTranslateNotice" style="display:none;"></div> <strong class="summary_view" data-translation="true">[반도체레이다] 차세대 노광 협업</strong> <div class="article_view" data-translation-body="true" data-tiara-layer="article_body" data-tiara-action-name="본문이미지확대_클릭"> <section dmcf-sid="WTn59FOcSY"> <figure class="figure_frm origin_fig" contents-hash="3677b56da220fd2baec072c4ac781778c26bf97a88b3f7d2f89c4f60bc463735" dmcf-pid="YGa34UlwhW" dmcf-ptype="figure"> <p class="link_figure"><img class="thumb_g_article" data-org-src="https://t1.daumcdn.net/news/202609/08/552796-pzfp7fF/20260908153114919lmut.jpg" data-org-width="640" dmcf-mid="8GVKJVZvyo" dmcf-mtype="image" height="auto" src="https://img2.daumcdn.net/thumb/R658x0.q70/?fname=https://t1.daumcdn.net/news/202609/08/552796-pzfp7fF/20260908153114919lmut.jpg" width="658"></p> </figure> <p contents-hash="5c4ffa22fb4d98a947563d2cba3b6fe642f31d058ab938c192636837c9614ab2" dmcf-pid="GHN08uSrvy" dmcf-ptype="general">[디지털데일리 김문기기자] 인텔 파운드리와 ASML이 미국 캘리포니아주 몬터레이에서 열린 'SPIE 포토마스크 기술 및 극자외선(EUV) 리소그래피 콘퍼런스'에서 High NA EUV 노광 장비를 활용해 100만장 이상의 웨이퍼를 처리했다고 8일 밝혔다.</p> <p contents-hash="baed14b6a6b7b98baeddd2dff05805035dbdbdb0a4e894f9212376ee4e65f0e5" dmcf-pid="HXjp67vmlT" dmcf-ptype="general">나가 찬드라세카란(Naga Chandrasekaran) 인텔 총괄 부사장 겸 인텔 파운드리 공동 총괄은 "미래의 복잡한 AI 제품을 만드는 기업들에게는 즉시 생산 가능하고 사용하기 쉬운 제조 혁신이 필요하다"라며 "인텔 파운드리는 리소그래피 역량 내에서 스티칭 여부와 관계없이 6인치 마스크에서 하이 NA를 단기적으로 구현하고 6x12인치 마스크로 전환하는 데 집중하고 있으며, ASML 및 업계 전체와 긴밀히 협력해 이러한 전환을 지원할 것"이라고 말했다.</p> <p contents-hash="d965120aa6af5c4d6c979b9d9f0afafd7cdd3984ed10ecbe913e37079e9dcf35" dmcf-pid="XZAUPzTsTv" dmcf-ptype="general">양사는 초기 장비 인증 및 테스트, 연구개발(R&D), '팬서 레이크(Panther Lake)'로 명명된 인텔 코어 울트라 시리즈 3 프로세서 일부 레이어의 대량 양산에 걸쳐 누적 100만장 이상의 웨이퍼를 처리했다. 인텔 파운드리에 따르면 오버레이, 처리량 및 장비 가동률 등 주요 지표가 회사 기준치에 부합하는 상태다.</p> <p contents-hash="6833b733fc01e8d5a0bdea893cef647256facd26cf0c0e71215f8def2acdf427" dmcf-pid="Z5cuQqyOTS" dmcf-ptype="general">인텔 18A 공정에서 일부 레이어에 High NA를 적용해 제조된 제품은 0.33 NA(개구율) 기반 NXE 플랫폼으로 패터닝된 동급 레이어 이상의 성능을 나타냈다. 고객사는 6인치 마스크 내 플로어 플래닝이나 인텔 파운드리의 스티칭 기술 및 공정설계키트(PDK) 솔루션을 활용해 현재 마스크 규격으로도 High NA 기술을 활용할 수 있다.</p> <p contents-hash="237545cf75aed87ab89ff2f7dacd4f91c4a507610286925389e29ebe165a23a9" dmcf-pid="51k7xBWIll" dmcf-ptype="general">아울러 인텔 파운드리는 대형 마스크 규격 전환을 지원하기 위해 ASML, 마스크 제조사, 자동화 공급사, 전자설계자동화(EDA) 파트너, 소재 공급사, 반도체 제조사 등과 협력해 규격 표준화 및 기술 인프라를 구축해 왔다.</p> <p contents-hash="23a3c825e924af72ac6594fc0d4eba0ce82a3615f3ff29663b74aeab273e0408" dmcf-pid="1tEzMbYCWh" dmcf-ptype="general">양사는 콘퍼런스 기간 중 6인치 마스크 환경에서 High NA EUV를 사용할 수 있도록 지원하는 레티클 스티칭 기술 관련 발표를 진행한다. 얀 반 스콧(Jan van Schoot) ASML 연구원이 '하프 필드 스티칭을 지원하기 위한 스캐너 및 마스크 요구 사항'을 발표하며, 킴벌리 피어스(Kimberly Pierce) 인텔 파운드리 연구원이 '제조를 위한 하이 NA EUV 스티칭'을 주제로 발표에 나선다.</p> <p contents-hash="b804466833760976100cd4e6b11ea15323baa2a90bb4b5619ab225dede325a8b" dmcf-pid="tFDqRKGhvC" dmcf-ptype="general">크리스토프 푸케(Christophe Fouquet) ASML 회장 겸 최고경영자(CEO)는 "인텔 파운드리는 2024년 첫 상업용 EXE 시스템 설치부터 최신 세대 도구 인증, 하이 NA로 제조된 첫 대량 생산 로직 제품 출하에 이르기까지 하이 NA 도입의 핵심 리더 중 하나였다"며 "ASML은 하이 NA 분야에서 인텔 파운드리의 선구적인 역할과 6인치 마스크를 통해 현재 가치를 제공하는 혁신, 6x12인치 마스크 진화에 대한 오랜 지원을 인정한다"고 말했다.</p> </section> </div> <p class="" data-translation="true">Copyright © 디지털데일리. All rights reserved. 무단 전재 및 재배포 금지.</p> 관련자료 이전 “반도체 전공 아니어도 됩니다”…SK하이닉스 ‘팹의 지휘자’가 찾는 인재는? 09-08 다음 'AI 친구' 찾는 10대 수십만명…청소년 보호 입법 첫발 09-08 댓글 0 등록된 댓글이 없습니다. 로그인한 회원만 댓글 등록이 가능합니다.
