中 HBM 자립의 역설…만들수록 치솟는 글로벌 D램 가격 작성일 08-28 16 목록 <div id="layerTranslateNotice" style="display:none;"></div> <strong class="summary_view" data-translation="true">[반도체레이다]</strong> <div class="article_view" data-translation-body="true" data-tiara-layer="article_body" data-tiara-action-name="본문이미지확대_클릭"> <section dmcf-sid="2dwqO6hDvG"> <p contents-hash="87fba442eab33d21fa2b5c9a9f28f3635e7d8c9acac80afaa606aae8a741c05e" dmcf-pid="VJrBIPlwWY" dmcf-ptype="general"><strong>CXMT 팹 증설분 HBM 전환…웨이퍼 잠식에 범용 레거시 D램 품귀</strong></p> <p contents-hash="20cae472c0366fd5d2a9916a1114582d14daa6d6c76f12671d48e2fec13c518e" dmcf-pid="fimbCQSrSW" dmcf-ptype="general"><strong>EUV 부재, 낮은 패키징 수율이 부른 병목…삼성전자·SK하이닉스 반사이익</strong></p> <figure class="figure_frm origin_fig" contents-hash="bccb3af94410fee6dad4eeba8823f8cd26c91c2c8216e215c93811248203b1ce" dmcf-pid="4gCVveWIhy" dmcf-ptype="figure"> <p class="link_figure"><img class="thumb_g_article" data-org-src="https://t1.daumcdn.net/news/202608/28/552796-pzfp7fF/20260828160821863fwmm.jpg" data-org-width="640" dmcf-mid="9vpNzsb0hH" dmcf-mtype="image" height="auto" src="https://img1.daumcdn.net/thumb/R658x0.q70/?fname=https://t1.daumcdn.net/news/202608/28/552796-pzfp7fF/20260828160821863fwmm.jpg" width="658"></p> </figure> <p contents-hash="1e55bd7e8c8589716519fc865a86cc1c0c63ff2b54e25f010a420facc3875060" dmcf-pid="8ahfTdYCCT" dmcf-ptype="general">[디지털데일리 배태용기자] 중국 최대 D램 제조사 창신메모리(CXMT)가 화웨이의 인공지능(AI) 가속기 지원과 고대역폭메모리(HBM) 자립을 위해 대규모 생산 라인을 전환하고 있으나 도리어 글로벌 D램 가격을 밀어 올리는 기폭제로 작용하고 있다.</p> <p contents-hash="9cfdb891d8d17bb8aa574999fa7f9f376cd7a99510b21ed9923db9a0af2731a5" dmcf-pid="6Nl4yJGhTv" dmcf-ptype="general">당초 시장에서는 중국의 공격적인 팹 증설이 범용 레거시 D램 시장의 단가 폭락(덤핑)을 불러올 것이라 우려했으나 극자외선(EUV) 노광 장비 부재와 낮은 패키징 수율로 인해 막대한 웨이퍼가 소모되면서 정반대의 수급 왜곡이 나타나는 모습이다. 중국의 무리한 HBM 독립 선언이 자체 레거시 D램 공급을 증발시키며 삼성전자와 SK하이닉스 등 한국 메모리 기업들의 실적 호조를 장기화하는 역설적인 결과를 낳고 있다는 분석이다.</p> <p contents-hash="282175a851f28fc7c02c8609ebead71e5c2df053dec04234d52691a0f2ecad00" dmcf-pid="PjS8WiHlWS" dmcf-ptype="general"><strong>◆ 밑 빠진 독 된 中 웨이퍼… 4배 잠식에 레거시 D램 공급 급감</strong></p> <p contents-hash="ee0da9739e7a071bb58a449ec872a16f2c89bcd454b72a160daa8033c4f607b2" dmcf-pid="QAv6YnXSTl" dmcf-ptype="general">28일 반도체 시장조사업체 트렌드포스에 따르면 CXMT의 월간 12인치(300㎜) 웨이퍼 생산능력은 올해 말 기준 월 30만~35만장 수준까지 도달해 글로벌 3위인 미국 마이크론을 턱밑까지 추격하고 있다.</p> <p contents-hash="7cdfeb48fcd53c3c8fd1cacc61cf646893b732b0df1a3f9dffd3ae76425946c2" dmcf-pid="xcTPGLZvvh" dmcf-ptype="general">이러한 가운데 최근 들어 급증한 생산능력 상당량의 웨이퍼를 화웨이용 HBM 개발과 시양산 라인으로 대거 배정되기 시작한 것으로 알려졌다.</p> <p contents-hash="56bc19267026f112c5621134f1670223579ee17cf7034c903aae83bab03bddef" dmcf-pid="yuQve1iPvC" dmcf-ptype="general">HBM은 일반 단품 D램과 비교해 동일 용량 기준으로 다이 크기가 2배 이상 넓고 8단 및 12단으로 수직 적층하는 실리콘관통전극(TSV) 패키징 공정 난도가 극도로 높다. 동일한 수량의 메모리 칩을 생산하더라도 일반 D램과 비교해 웨이퍼 소모량이 최소 3~4배에 달하는 이유다.</p> <p contents-hash="f1b15734239f1932820e6eeeee03aa3cc646c98b7d607a4b700801daeb6dd509" dmcf-pid="W7xTdtnQWI" dmcf-ptype="general">더욱이 미국의 첨단 반도체 장비 수출 통제로 EUV 도입이 차단된 CXMT는 심자외선(DUV) 멀티 패터닝에 의존하고 있어 D램 원판 다이의 기초 수율 자체가 한국 기업들과 비교해 40% 이상 낮게 형성돼 있다. 여기에 후공정 패키징 수율마저 50% 안팎에 머무르면서 HBM 1장을 완성하기 위해 정상적인 레거시 D램 4장 이상의 웨이퍼를 태워 없애는 '밑 빠진 독' 구조가 고착화됐다.</p> <p contents-hash="6acf7d605005dafc353729fd7fcab9344707bf1cc282da656f175f1c3095599d" dmcf-pid="YzMyJFLxSO" dmcf-ptype="general">CXMT가 공격적으로 증설한 웨이퍼가 완성도 낮은 HBM 생산에 대거 빨려 들어가게되면 글로벌 중저가 스마트폰과 PC 시장에 풀리던 중국산 DDR4 및 DDR5 공급량이 시장의 예상과 달리 급격히 쪼그라드는 공급 증발 현상이 발생할 수 있다.</p> <p contents-hash="b3cb42633048c58110da336afd46a0ee415caad59978e118b554950aa1e2ae1d" dmcf-pid="GPj0E9rNTs" dmcf-ptype="general"><strong>◆ 덤핑 우려 깬 D램 판가 상방 압력… K-메모리 수혜 지속</strong></p> <p contents-hash="703a1cc9d33f9272e55f100cc997ab7c11419ca63bcc21ba91042ca64cdfbdef" dmcf-pid="HQApD2mjhm" dmcf-ptype="general">중국의 HBM 집중 전략이 레거시 D램의 공급 절벽을 유발하면서 글로벌 메모리 가격의 상승 탄력은 한층 가팔라지고 있다. 트렌드포스는 올해 하반기 글로벌 범용 D램 고정거래 가격이 전 분기와 비교해 13%에서 18%가량 추가 상승할 것으로 전망했다. 중국산 저가 메모리의 시장 침투를 경계하던 글로벌 세트 제조사들이 다시 안정적인 공급망을 찾아 한국산 메모리로 주문을 집중하고 있는 영향이다.</p> <p contents-hash="f5c5b0358e65a1ba8d1f0964c2d5f41ff481ed0434a7e280b5cc8a78f84633f2" dmcf-pid="XxcUwVsAWr" dmcf-ptype="general">화웨이를 비롯한 중국 현지 빅테크들이 체감하는 실질적인 고성능 HBM 자급 시점이 기술적 한계로 인해 2년 이상 지연되는 사이 중국의 비효율적인 HBM 올인은 글로벌 메모리 생태계의 공급 부족을 가중시키는 촉매제가 돼가고 있다.</p> <p contents-hash="c4862bd191bf6ea137722125553cd6fcb68024b5192627cff9a4121a5ae623b1" dmcf-pid="ZMkurfOcyw" dmcf-ptype="general">삼성전자와 SK하이닉스는 고부가 첨단 메모리 시장과 범용 레거시 시장 양쪽에서 반사이익을 거두는 최적의 수혜 국면을 맞이했다. HBM3E 및 차세대 HBM4 시장에서는 기술 격차를 앞세워 프리미엄 마진을 확보하는 한편 범용 D램 시장에서도 중국의 저가 덤핑 공세 리스크 없이 판가 인상에 따른 수익성을 온전히 누리는 이중 수혜를 입게 된 셈이다.</p> <p contents-hash="703cbdfc16ca39d67a14d62ed846285f056ce70bcfe67f07b1e446a22dd86284" dmcf-pid="5RE7m4IkWD" dmcf-ptype="general">반도체 업계 한 관계자는 "중국이 미국의 제재를 뚫고 HBM 자립을 무리하게 추진하는 과정에서 막대한 웨이퍼를 허비하며 레거시 D램 시장의 공급 여력을 스스로 갉아먹고 있다"라며 "중국의 기술적 한계가 빚어낸 이 같은 역설적 수급 불균형은 선단 HBM을 장악하고 범용 시장까지 지배하는 한국 메모리 기업들의 실적 호조를 더욱 탄탄하게 받쳐주는 버팀목이 될 것이라는 시각도 있다"라고 진단했다.</p> </section> </div> <p class="" data-translation="true">Copyright © 디지털데일리. All rights reserved. 무단 전재 및 재배포 금지.</p> 관련자료 이전 배터리업계 화두 ‘각형배터리’… 나인테크, AI데이터센터발 ‘ESS’ 배터리 동시 사업 진행 08-28 다음 [AI 고속도로] 엔비디아, AI 클라우드 금융지원 일부 중단…고객사 통제 논란 08-28 댓글 0 등록된 댓글이 없습니다. 로그인한 회원만 댓글 등록이 가능합니다.
