中 CXTM, 고유전율 D램 소재 양산 적용...삼성·SK '맹추격' 작성일 08-27 33 목록 <div id="layerTranslateNotice" style="display:none;"></div> <strong class="summary_view" data-translation="true">테크인사이츠 분석…"CXMT, LPDDR5X에 'High-k' 성공적 도입"</strong> <div class="article_view" data-translation-body="true" data-tiara-layer="article_body" data-tiara-action-name="본문이미지확대_클릭"> <section dmcf-sid="ZnVQcpaect"> <p contents-hash="cce409f32b77de2ad4fd4fcf68b6a672f97eac2273bd20b9497509c0d9bf1a7c" dmcf-pid="5LfxkUNdj1" dmcf-ptype="general">(지디넷코리아=장경윤 기자)D램 업계 후발주자인 중국 창신메모리(CXMT)의 추격이 거세다. 기존 메모리 선두업체들의 전유물처럼 여겨지던 고유전율(High-k) 소재를 최신 D램 제품에 성공적으로 적용한 것으로 나타났다.</p> <p contents-hash="d631edda7ff82df806e53c1467b7f0995971ef71c225fb33b99ec68d19340ac0" dmcf-pid="1o4MEujJa5" dmcf-ptype="general">이에 삼성전자·SK하이닉스 등은 4F스퀘어, 3D D램 등 차세대 구조 개발에 박차를 가하고 있다.</p> <p contents-hash="8ffffbf2b82b4ec9d6e39835bb5d961d48888a97e08919e40ab4fb3cf7e3c4cf" dmcf-pid="tAxisbDgNZ" dmcf-ptype="general"><span>최정동 테크인사이츠 수석부사장은 27일 메모리 산업 동향 웨비나에서 최첨단 D램 기술 개발 로드맵에 대해 이같이 밝혔다. 테크인사이츠는 반도체 전문 분석기관이다.</span></p> <figure class="figure_frm origin_fig" contents-hash="870e40c756b82dfbcb53c3d113097618961ad85798bc83dc2f8941c3b669c8c6" dmcf-pid="FcMnOKwagX" dmcf-ptype="figure"> <p class="link_figure"><img alt="CXMT가 개발한 LPDDR5 제품 이미지(사진=CXMT 홈페이지 갈무리)" class="thumb_g_article" data-org-src="https://t1.daumcdn.net/news/202608/27/ZDNetKorea/20260827140349402ugzs.png" data-org-width="638" dmcf-mid="uTu38C2uN0" dmcf-mtype="image" height="auto" src="https://img2.daumcdn.net/thumb/R658x0.q70/?fname=https://t1.daumcdn.net/news/202608/27/ZDNetKorea/20260827140349402ugzs.png" width="658"></p> <figcaption class="txt_caption default_figure"> CXMT가 개발한 LPDDR5 제품 이미지(사진=CXMT 홈페이지 갈무리) </figcaption> </figure> <p contents-hash="9529ddbd6900189a3ee2b2cb9b69e6555ec0cd9c34f993bb3c93dc8b24b5aa3e" dmcf-pid="3kRLI9rNcH" dmcf-ptype="general"><strong>中, 고성능 D램 소재 'High-k'도 본격 도입…선두 업체 맹추격</strong></p> <p contents-hash="a5f7176a9c4d723de73b6723dabfedc87f0f3a2780013c3e8eceaa15aba38228" dmcf-pid="0EeoC2mjaG" dmcf-ptype="general"><span>글로벌 D램 </span><span>시장은 </span><span>국내 </span><span>삼성전자, </span><span>SK하이닉스와 </span><span>미국 </span><span>마이크론 </span><span>등 소위 빅3 기업이</span><span> </span><span>주도해 </span><span>왔다. </span><span>이들 </span><span>기업은 </span><span>12나노미터(nm)급</span><span> </span><span>D램 </span><span>및 </span><span>고대역폭메모리(HBM) </span><span>상용화로 </span><span>AI용 </span><span>고부가 </span><span>메모리 </span><span>출하량을 </span><span>적극 </span><span>늘리는 </span><span>추세다.</span></p> <p contents-hash="dc09dd570b9b7513c24f498237d6db5789250e2429fa99bba6a5d04d56256af5" dmcf-pid="pDdghVsAkY" dmcf-ptype="general"><span>그러나 중국 기업들의 추격도 거세다. 현재 중국 최대 D램 제조업체인 CXMT</span><span>는 G4(16나노급) 공정을 기반으로 DDR5 및 LPDDR5 제품 상용화에 성공한 상황이다.</span></p> <p contents-hash="b0703b063bc81a69b86611f28294ca12c3bd3c36b43edd1c9d40addbaac714b9" dmcf-pid="UwJalfOcjW" dmcf-ptype="general"><span>최근에는</span><span> D램 내 트랜지스터에 기존 선두업체들만 적용하던 고성능 소재도 활용하기 시작한 것으로 나타났다. </span><span>최 부사장은 "중요한 점은 당사 조사 결과 </span><span>CXMT가 </span><span>G4 </span><span>공정 </span><span>및 LPDDR5X 제품에 </span><span>High-k </span><span>메탈 </span><span>게이트(HKMG) </span><span>기술을 </span><span>성공적으로 </span><span>도입했다는 것</span><span>"이라고 강조했다.</span></p> <p contents-hash="68884346f8c193cd84139a05bcb730bb6fb7acc0f88641db5c6fc918f91e3cb2" dmcf-pid="uriNS4Ikgy" dmcf-ptype="general"><span>High-k는 회로 간 누설 전류를 막는 절연막에 쓰이는 소재다. 동일한 전압에서 더 많은 전하(전자의 흐름)을 저장할 수 있어, 기존 절연막 소재(실리콘산화물, SiO2) 대비 초미세 공정을 구현하는 데 용이하다. 때문에 삼성전자, SK하이닉스, 마이크론은 4~5년 전부터 이 소재를 도입하고 있다.</span></p> <p contents-hash="bee5b7c77c309a3ea8909249015be93af81455860f488455eb7ff98dd6fb6e7a" dmcf-pid="7mnjv8CEAT" dmcf-ptype="general"><span>HBM 기술 역시 고도화하고 있다. 현재 CXMT는 G3(18나노급) 공정을 사용해 HBM2E(3세대 HBM)의 리스크 양산(초도생산) 단계에 진입한 것으로 알려졌다. G4 공정 기반의 HBM3는 샘플링을 진행 중이다.</span></p> <p contents-hash="676ad7b935a473dc081f153ca2b4cade1432f26b848c010aefa9b4f222df8646" dmcf-pid="zsLAT6hDcv" dmcf-ptype="general"><span>최 부사장은 "CXMT는 선두업체보다 약 2세대 정도 기술이 뒤쳐져 있으나, 더 높은 성능의 메모리 솔루션을 향해 HBM 로드맵을 꾸준히 발전시키고 있다"며 "G5(15나노급) D램 공정도 개발되고 있다"고 평가했다.</span></p> <figure class="figure_frm origin_fig" contents-hash="22c0147c9d51ef43cc581f285c66bcade21c936fb8e82c96ef6c5af3a93fa059" dmcf-pid="qOocyPlwoS" dmcf-ptype="figure"> <p class="link_figure"><img alt="셀 크기에 따른 D램 구조(사진=엘피다)" class="thumb_g_article" data-org-src="https://t1.daumcdn.net/news/202608/27/ZDNetKorea/20260827140350696pnzi.png" data-org-width="637" dmcf-mid="WABuxv8BcC" dmcf-mtype="image" height="auto" src="https://img2.daumcdn.net/thumb/R658x0.q70/?fname=https://t1.daumcdn.net/news/202608/27/ZDNetKorea/20260827140350696pnzi.png" width="658"></p> <figcaption class="txt_caption default_figure"> 셀 크기에 따른 D램 구조(사진=엘피다) </figcaption> </figure> <p contents-hash="18b0fa4d3feafc0917b2a5c71af00bc17c406982ebd6092fbd6eab5b011b7fd4" dmcf-pid="BIgkWQSrAl" dmcf-ptype="general"><strong>D램 3강, 4F스퀘어·3D D램으로 기술 변혁 시도 </strong></p> <p contents-hash="e619eb83b629beec900be009827dfdbd4586023c5a17367b521dd3f053be4a97" dmcf-pid="bCaEYxvmah" dmcf-ptype="general"><span>삼성전자, </span><span>SK하이닉스, </span><span>마이크론은</span><span> </span><span>10나노미터 미만의 차차세대 D램(D0A) 개발로 기술 초격차를 꾀하고 있다. 특히 기존 D램의 구조를 바꾼 4F스퀘어, 3D D램을 가장 유력한 후보로 보고 있다.</span></p> <p contents-hash="4993c063bd0855b7d098bbe9bfd597d67fabb1c067c1d44160a24bc1cd502496" dmcf-pid="KhNDGMTsAC" dmcf-ptype="general"><span>최 부사장은 "현재 당사 평가로는 삼성전자와 SK하이닉스는 4F스퀘어 D램을 추진할 가능성이 높다"며 "반면 마이크론은 3D D램으로 바로 이동할 가능성이 더 높아 보인다"고 말했다.</span></p> <p contents-hash="baa652ddfff70afe774fe4ea4535f9bbab564240b2c862794039e432696f0437" dmcf-pid="9MqVo5J6jI" dmcf-ptype="general"><span>4F스퀘어 D램은 메모리 셀(데이터를 저장하는 최소 단위)의 구조를 기존 수평이 아닌 수직으로 배치하는 차세대 D램이다. 스퀘어란, 셀 내 트랜지스터에 전압을 인가하는 구성 요소가 얼마나 큰 면적을 갖고 있는지 나타내는 척도다.</span></p> <p contents-hash="f1583817aee80e42f89072c20fadaf9db8a40225983ca66d570d818c9aa3980f" dmcf-pid="2RBfg1iPkO" dmcf-ptype="general"><span>기존 D램은 6F스퀘어 구조를 갖추고 있다. 셀 면적이 줄어들수록 D램의 집적도가 높아져, 데이터 처리 성능 및 전력 효율성을 향상시킬 수 있다. 업계가 4F스퀘어 구조에 주목하는 이유다.</span></p> <p contents-hash="0d5dc2d7e6b601ad78936ba7d3ec888e91781fdc4f1661132b9880a95a4a4963" dmcf-pid="Veb4atnQNs" dmcf-ptype="general"><span>3D D램은 </span><span>비트라인 혹은 워드라인을 세워, 기존 수평으로 집적되던 셀을 수직으로 적층하는 기술이다. 비트라인과 워드라인은 셀 내 트랜지스터를 동작하게 하는 구성 요소다. 3D D램 구조에서는 같은 면적에 더 많은 셀을 넣을 수 있고, 트랜지스터 간격이 넓어져 간섭 현상도 줄어든다.</span></p> <p contents-hash="438a438218e724f648110abf4ea2d72b31ded3bad2834da1fa01305ec87730ca" dmcf-pid="fdK8NFLxam" dmcf-ptype="general"><span>다만 3D D램은 새로운 소재와 본딩 기술을 도입해야 하는 등 4F스퀘어 대비 기술적 난이도가 높다고 평가받는다.</span></p> <p contents-hash="95fe7cd377279c22e1c32c437809192ce9e8180a314282816b169cd161c6fe00" dmcf-pid="4J96j3oMgr" dmcf-ptype="general"><span>최 부사장은 "3D D램은 여전히 기술적으로 매우 도전적인 과제로, D0A에서 상용화되기에는 상당한 공정 복잡성과 수율 문제를 야기한다"며 "이러한 이유로 4F스퀘어 D램이 D0A 세대에서 보다 실용적인 후보로 떠오르고 있다"고 설명했다.</span></p> <p contents-hash="4596ecdf2d57ed98321cc38040c7afc9ca19ac238e6198e4e028b24594d1cdcb" dmcf-pid="8i2PA0gRgw" dmcf-ptype="general">장경윤 기자(jkyoon@zdnet.co.kr)</p> </section> </div> <p class="" data-translation="true">Copyright © 지디넷코리아. 무단전재 및 재배포 금지.</p> 관련자료 이전 국가대표 AI 5개팀, AI 학습 데이터 방출…'1.5조 토큰' 데이터 무료 개방 08-27 다음 정보보호 컨설팅도 수출 산업으로… 한국정보보호인식, 누적 수출 190만 달러 기록 08-27 댓글 0 등록된 댓글이 없습니다. 로그인한 회원만 댓글 등록이 가능합니다.
