삼성·SK, HBM향 하이브리드 본딩 도입 시점 두고 고심 작성일 07-06 29 목록 <div id="layerTranslateNotice" style="display:none;"></div> <strong class="summary_view" data-translation="true">최근 HBM 발열 특성 개선…두께 표준 완화 움직임도</strong> <div class="article_view" data-translation-body="true" data-tiara-layer="article_body" data-tiara-action-name="본문이미지확대_클릭"> <section dmcf-sid="xX7myMOcgT"> <p contents-hash="25816bbf098bc67bcb48e707ae132f90d32b3c433216f64fece842307fc21490" dmcf-pid="yFKhXiSrkv" dmcf-ptype="general">(지디넷코리아=장경윤 기자)<span>차세대 고대역폭메모리(HBM) 구현을 위한 하이브리드 본딩 기술 도입을 두고 삼성전자와 SK하이닉스의 고민이 깊어지고 있다.</span></p> <p contents-hash="56fdb56c57242f795adfbd44e92f5ba18c42f4a5c9efb136c283849b7c1ff900" dmcf-pid="W39lZnvmAS" dmcf-ptype="general"><span>해당 기술 주요 강점인 '두께 감소'와 </span><span>'방열 성능 강화' </span><span>필요성이 낮아진 탓이다. 업계에선 </span><span>HBM의 I/O(입출력단자) 수가 폭증하는 시기에 하이브리드 본딩 도입 필요성이 다시 대두될 것이란 관측이 나온다.</span></p> <p contents-hash="8bb40baf4f3dd8b3ddbdb8f86e37919846628229391fbc73d47cf01969e6bfc8" dmcf-pid="Y02S5LTsNl" dmcf-ptype="general"><span>6일 업계에 따르면 차세대 HBM에 하이브리드 본딩이 본격</span><span> 적용되는 시점이 예상 대비 지연될 수 있다는 관측이 제기된다. 당초 </span><span>HBM4(6세대 HBM)부터 하이브리드 본딩 기술이 적용될 수 있다는 전망도 있었지만 </span><span>기술 난도 등으로 현실화되지는 않았다. </span></p> <figure class="figure_frm origin_fig" contents-hash="fa504a6364852146d4dbdf03135c6c90cc5822b8fde5e55782c0274baf610df4" dmcf-pid="GpVv1oyOoh" dmcf-ptype="figure"> <p class="link_figure"><img alt="삼성전자가 지난 2월 중순부터 양산에 들어간 차세대 고대역폭메모리 HBM4. (사진=삼성전자)" class="thumb_g_article" data-org-src="https://t1.daumcdn.net/news/202607/06/ZDNetKorea/20260706113753081fapt.jpg" data-org-width="640" dmcf-mid="zvHam9jJkD" dmcf-mtype="image" height="auto" src="https://img4.daumcdn.net/thumb/R658x0.q70/?fname=https://t1.daumcdn.net/news/202607/06/ZDNetKorea/20260706113753081fapt.jpg" width="658"></p> <figcaption class="txt_caption default_figure"> 삼성전자가 지난 2월 중순부터 양산에 들어간 차세대 고대역폭메모리 HBM4. (사진=삼성전자) </figcaption> </figure> <p contents-hash="fb14a4c3beacc65d492e5914b682257e4b4dadaa82ad561b51a1532d1b8d6982" dmcf-pid="HUfTtgWIAC" dmcf-ptype="general"><span>삼성전자, SK하이닉스 등 주요 메모리 기업은 HBM에 차세대 패키징 기술인 하이브리드 본딩을 적용하기 위한 연구개발(R&D)을 지속해 왔다. 현재 HBM 양산에 쓰이는 본딩 기술은 열압착(TC) 본딩이다. D램과 D램 사이에 미세한 돌기인 범프(Bump)와, 지지대 역할의 언더필(Underfill) 소재를 넣고 열과 압력으로 이어붙이는 구조다.</span></p> <p contents-hash="59e7c9a6f37ae72f02662fe2337be1b887df2967f09656ea6cce61878008ebe7" dmcf-pid="Xu4yFaYCjI" dmcf-ptype="general">하이브리드 본딩은 각 D램의 구리 배선을 직접 이어붙인다. 범프를 쓰지 않아 전체 HBM 두께를 줄이는 데 용이하고, 방열 특성과 전력 효율을 높일 수 있다. HBM 내부에서 데이터 전송통로 역할을 맡는 I/O(입출력단자)도 더 밀도 있게 연결할 수 있다. </p> <p contents-hash="c7ac7ef399003b72332c778afd3bc464809d420d22f15b9c06aec5b28a10f108" dmcf-pid="Z78W3NGhkO" dmcf-ptype="general">당초 삼성전자·SK하이닉스 등은 이르면 HBM4(6세대 HBM)부터 하이브리드 본딩 기술이 적용될 수 있을 것으로 예상돼왔지만 기존 TC 본딩을 적용했다. 현재는 16단 HBM4E(7세대 HBM)부터 채택될 수 있다는 전망이 나온다. 적용 예상 시점이 밀렸다. </p> <p contents-hash="2b97bb479103dfd34f09fe7f8bb9c19401f2cecbe89c3780ecc7ccbb0f60e0a0" dmcf-pid="5z6Y0jHlgs" dmcf-ptype="general"><strong>두께 감소 필요성 낮아지는 차세대 HBM</strong></p> <p contents-hash="4b63d115d14ee17a4e6ce4545837877c6bacb7f051d8cdc0551f5cf580087d85" dmcf-pid="1qPGpAXScm" dmcf-ptype="general"><span>업계에선 </span><span>하이브리드 본딩 기술 도입 시기가 </span><span>더 밀릴 수 있다는 관측도 나온다</span><span>. 하이브리드 본딩 장점인 ▲HBM 두께 감소 ▲발열 특성 개선 등의 필요성이 낮아지고 있다는 이유에서다. </span></p> <p contents-hash="144a98bfe9ba29a21ba738a70edc693e1741f1a0324aea7dfb0926534af30c64" dmcf-pid="tBQHUcZvjr" dmcf-ptype="general">HBM 두께의 경우, 업계 표준이 점차 완화되는 추세다. 당초 HBM 표준은 HBM3E(5세대 HBM)까지 두께가 720마이크로미터였으나, HBM4에 들어서며 775마이크로미터로 상향된 바 있다. HBM4에서 D램 적층 수가 기존 8단·12단에서 12단·16단까지 상향된 것이 주된 영향을 미쳤다. </p> <p contents-hash="7daa76fb49a741995126dba0f97acac0e9741bee4789bc6bf440805e40cecc8e" dmcf-pid="FbxXuk5Tkw" dmcf-ptype="general">국제반도체표준화기구(JEDEC)는 HBM5 등 20단을 적층하는 차세대 HBM 두께를 900마이크로미터에서 최대 1000마이크로미터 수준까지 완화하는 방안을 논의 중인 것으로 알려졌다. 두께 표준이 완화되면 D램 간격을 극한으로 줄이지 않아도 돼, 본딩 <span>기술 </span><span>부담을 덜 수 있다. </span></p> <p contents-hash="58a765d3590724bd07fd5f88b95d417d380a2695cb4ed689b6432201687bfc8d" dmcf-pid="3KMZ7E1ygD" dmcf-ptype="general">엔비디아 등 핵심 고객사의 고적층 HBM 수요가 밀리고 있다는 점도 변수다.</p> <p contents-hash="28f1cf95479aa760fb821dabed49f3fbf9144d94e77da926c8fe4e45626ef418" dmcf-pid="0y3kh8DgaE" dmcf-ptype="general">메모리 업계 한 관계자 A는 "현재 고객사와 메모리 제조기업 사이에서 16단 HBM에 대한 논의가 활발하게 진행되지 않고 있다"며 "현재로선 HBM4E에서도 12단 제품이 주력으로 쓰일 가능성이 유력하다"고 설명했다.</p> <figure class="figure_frm origin_fig" contents-hash="66728ca338e27cc19bf0a4bec6be682dee04ebf1dc38f655e9090911284e62c7" dmcf-pid="pW0El6wagk" dmcf-ptype="figure"> <p class="link_figure"><img alt="SK하이닉스가 공개한 iHBM 개념도. HBM 코어다이 옆으로 발열을 담당하는 별도 소자를 집적했다(사진=SK하이닉스)" class="thumb_g_article" data-org-src="https://t1.daumcdn.net/news/202607/06/ZDNetKorea/20260706113754382vaoa.jpg" data-org-width="640" dmcf-mid="q05v1oyOkE" dmcf-mtype="image" height="auto" src="https://img4.daumcdn.net/thumb/R658x0.q70/?fname=https://t1.daumcdn.net/news/202607/06/ZDNetKorea/20260706113754382vaoa.jpg" width="658"></p> <figcaption class="txt_caption default_figure"> SK하이닉스가 공개한 iHBM 개념도. HBM 코어다이 옆으로 발열을 담당하는 별도 소자를 집적했다(사진=SK하이닉스) </figcaption> </figure> <p contents-hash="15e3692c75e7e7dc4b87f97a79ab4260c797da0ceb2a2f1089538645a2081e0a" dmcf-pid="UYpDSPrNAc" dmcf-ptype="general"><strong>삼성·SK, 별도 소자로 HBM 방열 개선</strong><strong>…HBM5부터 적용</strong></p> <p contents-hash="199841f16b2a2b4b5eb4a1f68610e72828fbf3c45ed30f64b87a3fd63e319a4b" dmcf-pid="uGUwvQmjAA" dmcf-ptype="general"><span>하이브리드 본딩은 열전도율이 낮은 언더필 소재를 제거해, HBM 발열 특성 향상에도 유리하다. </span></p> <p contents-hash="938c7ea05c457ecd26e040230a289ea614c312d6baafdfd29ca0f3d1f63144a5" dmcf-pid="7HurTxsAcj" dmcf-ptype="general">그러나 삼성전자, SK하이닉스는 최근 HBM의 발열 특성을 다른 방식으로 높일 수 있는 기술을 고안했다. HBM 옆에 별도로 열을 방출하는 소자를 추가 배치하는 것이 핵심이다. 삼성전자는 이를 히트패스블록(HPB)으로, SK하이닉스는 iHBM(ICE HBM)이라고 부른다. 양사 모두 HBM5에 해당 기술을 적용하기 위해 테스트 중이다.</p> <p contents-hash="ae00b6442bcd33d48535d9b1238f0073ce24526c9ba2f4560544927c525b60d2" dmcf-pid="zX7myMOcgN" dmcf-ptype="general">패키징 업계 관계자 B는 "방열 소자 구현 및 이를 HBM 코어 다이 옆에 배치하는 것은 기술적으로 크게 어렵지 않기 때문에, 상용화 난점은 없을 것으로 본다"며 "메모리 기업 입장에서는 안정적인 선택지"라고 말했다.</p> <p contents-hash="33f4d4f07a79c6a014b6d86d3d73cf1d743521f5199c213c1657c0171508f473" dmcf-pid="qZzsWRIkNa" dmcf-ptype="general"><strong>"하이브리드 본딩 연구개발은 </strong><strong>지속</strong><strong>"</strong></p> <p contents-hash="0e4cf8c9dba3c4e056b93cae61a33cce8a3cc3e40bb7c2b3349fbb077e73ddbf" dmcf-pid="B5qOYeCEAg" dmcf-ptype="general"><span>그럼에도 </span><span>삼성전자, SK하이닉스의 하이브리드 본딩 연구개발은 지속될 전망이다. 차세대 HBM에서 I/O 수가 늘어나고, 밀도가 향상될 경우 하이브리드 본딩 적용이 유리하기 때문이다.</span></p> <p contents-hash="fbf14b94a00ac1109e92974e0c0b2ec70c246d02fad6486b6e3cf763779c1e20" dmcf-pid="b1BIGdhDNo" dmcf-ptype="general"><span>일례로 HBM4는 이전 세대인 HBM3E 대비 I/O 수가 2배 늘어난 2048개로 구현한 바 있다. 이 경우 HBM 내부 간 간격은 크게 좁혀져야 한다. TC 본딩은 범프가 녹으면서 옆으로 퍼지기 때문에, I/O를 더 이상 초과 구현하는 데 어렵다는 평가를 받고 있다.</span></p> <p contents-hash="b6db426df31f8ee666a883ec492125e780fe92c8d032613875a1d359d0ba53e8" dmcf-pid="KtbCHJlwgL" dmcf-ptype="general"><span>패키징 업계 관계자 C는 "중장기적으로, HBM5E부터 I/O 수가 또 다시 2배 늘어난 4096개로 집적될 것이라는 논의가 나오고 있다"며 "이 경우 I/O 간격이 매우 좁기 때문에 하이브리드 본딩을 적용해야 할 필요가 있다"고 밝혔다. </span></p> <p contents-hash="5b1971aadd881fa68ab5e644effb447ddc4a26ec9be6e73b649a11571ff82c86" dmcf-pid="9FKhXiSrkn" dmcf-ptype="general">장경윤 기자(jkyoon@zdnet.co.kr)</p> </section> </div> <p class="" data-translation="true">Copyright © 지디넷코리아. 무단전재 및 재배포 금지.</p> 관련자료 이전 [엠빅뉴스] 이번 월드컵 진짜 하이라이트 쓴 카보베르데 금의환향 순간 07-06 다음 엔코아, IBK기업은행 AI 데이터 포털 구축…임직원 리터러시 강화 07-06 댓글 0 등록된 댓글이 없습니다. 로그인한 회원만 댓글 등록이 가능합니다.
