파라피에이, 방산반도체 부품 'X밴드 FEM' 4종 개발 작성일 05-15 33 목록 <div id="layerTranslateNotice" style="display:none;"></div> <strong class="summary_view" data-translation="true">"국산기술로 주요 경쟁사와 동등 성능 확보"</strong> <div class="article_view" data-translation-body="true" data-tiara-layer="article_body" data-tiara-action-name="본문이미지확대_클릭"> <section dmcf-sid="bo7oiLNdcH"> <p contents-hash="9ddc9dee9b1b2763ff83a509479290735f77e13ea00be0c67a410da11edfe3c9" dmcf-pid="KgzgnojJaG" dmcf-ptype="general">(지디넷코리아=장경윤 기자)<span>반도체 팹리스 파라피에이는 "미국 </span><span>Q사가 사실상 독점 중인 </span><span>방산반도체 핵심 부품 X-밴드(band) </span><span>프론트엔드 모듈(FEM) 4종을 순수 국산기술로 개발</span><span>했다"고 15일 밝혔다. </span><span>파라피에이는 지난 2021년 성균관대학교 양영구 교수 연구실에서 창업한 팹리스다. </span></p> <figure class="figure_frm origin_fig" contents-hash="9f901d959b16305c6f869687268cf5b5ddf4b39b54cdc14bc0863d2dc0adcfae" dmcf-pid="9aqaLgAikY" dmcf-ptype="figure"> <p class="link_figure"><img alt="파라피에이의 FEM. (좌) 10W 급 7x7 X-band FEM(FR100XQ4), (우) 16W 급 6x6 Xband FEM(사진=파라피에이)" class="thumb_g_article" data-org-src="https://t1.daumcdn.net/news/202605/15/ZDNetKorea/20260515110804627eoin.png" data-org-width="638" dmcf-mid="Busu0UqFjX" dmcf-mtype="image" height="auto" src="https://img3.daumcdn.net/thumb/R658x0.q70/?fname=https://t1.daumcdn.net/news/202605/15/ZDNetKorea/20260515110804627eoin.png" width="658"></p> <figcaption class="txt_caption default_figure"> 파라피에이의 FEM. (좌) 10W 급 7x7 X-band FEM(FR100XQ4), (우) 16W 급 6x6 Xband FEM(사진=파라피에이) </figcaption> </figure> <p contents-hash="8d81716f70307e0f94a2036ef66653830404b2197c8c5a6e0050f340aafd9ed1" dmcf-pid="2NBNoacnAW" dmcf-ptype="general"><span>방산 및 우주 반도체 분야, 특히 송수신 집적회로는 GaN(질화갈륨), GaAs(갈륨비소) 등 화합물 </span><span>반도체를 주로 이용해 설계한다. 우수한 성능과 극도로 높은 신뢰성이 동시에 요구되는 </span><span>고난도 기술</span><span>이다.</span></p> <p contents-hash="fa627e72dea06395ac5845cbc8b783ccf7cf11b8816f9f1c46d9f4f2f07674fd" dmcf-pid="VjbjgNkLcy" dmcf-ptype="general">FEM은 레이더나 통신시스템 안테나 바로 앞에 위치하는 고집적 반도체 <span>모듈이다. 하나의 FEM에는 스위치 MMIC, 리미터 MMIC, 전력증폭기(HPA) MMIC, </span><span>저잡음증폭기(LNA) MMIC 등 여러 반도체 칩이 하나의 패키지 위에 다중 칩 형태로 </span><span>집적된다. </span></p> <p contents-hash="aa150e68d5f26305b0210e2c4586d3a01dfb8e4436911830bca3d7c9aebaf3e9" dmcf-pid="fAKAajEocT" dmcf-ptype="general"><span>각 칩은 GaN 공정, GaAs pHEMT 공정, GaAs PIN 공정 등 서로 다른 반도체 공정을 </span><span>통해 최적 성능을 구현해야 한다. </span><span>높은 집적도로 인한 신호 간섭, 고출력에 따른 방열, </span><span>패키지 효과 등을 동시에 해결해야 해서 </span><span>설계 난도가 매우 높다</span><span>. </span></p> <p contents-hash="bd44c50a9c7a1a23a81b2790b779bd99c02dd87d82ae04c1aa4c392dfbf95365" dmcf-pid="4c9cNADggv" dmcf-ptype="general">X-밴드는 방산 분야 핵심 주파수 대역이다. 특히 9~10 GHz 대역은 <span>능동전자주사배열(AESA) 레이더와 각종 방공 레이더</span><span>, 미사일 등에 광범위하게 사용되고 있다. </span><span>수요가 많고 </span><span>기술 경쟁이 치열하다. </span><span>아울러 인접 주파수 대역에도 방산 및 우주 분</span><span>야 </span><span>핵심 주파수가 밀집해 있어 기술 확장성이 높다. </span></p> <p contents-hash="61d88e91bec4c1d539fd758931a0a7a306aafe62539082fef96c067f11d77138" dmcf-pid="8k2kjcwaNS" dmcf-ptype="general"><span>그동안 X-밴드</span><span> FEM은 미국 Q사가 사실상 독점해왔다. 방산</span><span>반도체 분야에서 진입장벽이 가장 높은 </span><span>제품군으로 인식돼 왔다. </span></p> <p contents-hash="e8789bab8c4de9c36b08867fcbd3f9d2fe61d64993cb943aef214d604e6344ae" dmcf-pid="6eFexRiPal" dmcf-ptype="general"><span>파라피에이가 이번에 개발한 </span><span>X-밴드 FEM은 </span><span>총 4종이다. 각각 4개의 입출력 포트를 갖춘 6×6mm² </span><span>크기의 16W급 및 8W급 FEM 2종과, 스위치를 포함해 3개의 입출력 포트를 갖춘 7×7</span><span>mm² 크기의 10W급 및 5W급 FEM 2종이다. 부품번호는 FR100XQ4, FR050XQ4, FR100XQ3, </span><span>FR050XQ3 등이다. </span><span>파라피에이 홈페이지</span><span>에서 데이터시트를 확인할 수 </span><span>있다. </span></p> <p contents-hash="5d18aa4ea5c8c2087e67395effdde3e2732bad5ada8b5ae97fb4681217ff4e0f" dmcf-pid="Pd3dMenQah" dmcf-ptype="general"><span>파라피에이는 "해당 제품은 대부분 제원에서 Q사 기존 제품과 동등하거나 이를 상회하는 성능을 달성했다"며 "</span><span>FEM에 사용하는 개별 HPA(고출력증폭기)와 LNA(저잡음증폭기) MMIC도 단품 패키지 </span><span>형태로 제품화를 완료했다"고 설명했다. </span></p> <p contents-hash="ef1944c657c29e2757e8b97768fea0532637a743d757eeea2ae5315de13c0aa1" dmcf-pid="QJ0JRdLxgC" dmcf-ptype="general">패키지 기술도 부각했다. 파리피에이는 "Q사의 FEM이 적층기판 기반 LGA(Land Grid <span>Array) 패키지를 사용해 높은 진입장벽의 한 요소로 작용한 반면, 파라피에이 FEM은 </span><span>상대적으로 저렴한 QFN(Quad Flat No-lead) 패키지를 적용해 우수한 성능과 함께 가격 </span><span>경쟁력까지 확보했다"고 자평했다.</span></p> <p contents-hash="45f9afdd5a8045b66a754e2b56bbacbe9f4e2ae501af4d82b60ad6342140f817" dmcf-pid="xipieJoMjI" dmcf-ptype="general">양영구 파라피에이 대표는 "이번 성과를 바탕으로 다양한 전자전용 고출력 MMIC 와 Ku-밴드 <span>및 Ka-밴드</span><span> FEM 등으로 제품군을 확장해, 방산</span>·<span>우주반도체 분야에서 </span><span>세계적 기술 경쟁력과 제품군을 갖춘 기업으로 성장하겠다"고 밝혔다.</span></p> <p contents-hash="90dcb139966d975b2a05e315f997379c412d2d3360a56066a41c6c7acf96ced3" dmcf-pid="yZjZGXtWjO" dmcf-ptype="general">장경윤 기자(jkyoon@zdnet.co.kr)</p> </section> </div> <p class="" data-translation="true">Copyright © 지디넷코리아. 무단전재 및 재배포 금지.</p> 관련자료 이전 설운도, 영화배우 아내와 사기 결혼 전말 “간절하고 절실했다”(동치미) 05-15 다음 지난해 개인정보 유출 신고 447건…전년 대비 45.6% ↑ 05-15 댓글 0 등록된 댓글이 없습니다. 로그인한 회원만 댓글 등록이 가능합니다.
