삼성전자, 차세대 D램 '수율 80%' 돌파…생산 안정권 진입 작성일 02-23 31 목록 <div id="layerTranslateNotice" style="display:none;"></div> <div class="article_view" data-translation-body="true" data-tiara-layer="article_body" data-tiara-action-name="본문이미지확대_클릭"> <section dmcf-sid="9nzdmNXSDz"> <figure class="figure_frm origin_fig" contents-hash="b999024e01cee15f6f3a7f865d169ac69f7d9f0fd0c6721ef93bdf1150e31e65" dmcf-pid="2WavuZQ9s7" dmcf-ptype="figure"> <p class="link_figure"><img alt="10월 8일 촬영한 삼성전자 평택 4공장(P4) 모습. 외관 공사가 마무리 되고 일부 장비 반입을 위한 통로가 확인됐다." class="thumb_g_article" data-org-src="https://t1.daumcdn.net/news/202602/23/etimesi/20260223170250691dfvd.jpg" data-org-width="700" dmcf-mid="b29wXlb0IB" dmcf-mtype="image" height="auto" src="https://img4.daumcdn.net/thumb/R658x0.q70/?fname=https://t1.daumcdn.net/news/202602/23/etimesi/20260223170250691dfvd.jpg" width="658"></p> <figcaption class="txt_caption default_figure"> 10월 8일 촬영한 삼성전자 평택 4공장(P4) 모습. 외관 공사가 마무리 되고 일부 장비 반입을 위한 통로가 확인됐다. </figcaption> </figure> <p contents-hash="37ea95eaf2213c5b2baf0ee27f815d082a869c9775f90b7bf737c40adc8de23b" dmcf-pid="VYNT75x2ru" dmcf-ptype="general">삼성전자 10나노미터(㎚)급 6세대 D램 '1c' 수율이 80%를 돌파했다. D램 생산의 안정 궤도에 본격 진입한 것으로, 기술 경쟁력을 바탕으로 수익성 개선에 기여할 것으로 전망된다. 1c D램이 기반인 차세대 고대역폭메모리(HBM) 'HBM4' 경쟁력도 한층 끌어올려 시장 파급력이 클 것으로 관측된다.</p> <p contents-hash="5041319dfccc8090426a57016fb519b2c0a8803619982bc6ea8defe06916c5c5" dmcf-pid="fGjyz1MVOU" dmcf-ptype="general">23일 업계에 따르면 삼성전자는 내부적으로 1c D램 수율 80%를 확보한 것으로 파악됐다. 온도가 높은 환경(핫테스트)에서 거둔 최대 수율이다. 지난 4분기께 1c D램 수율은 60~70% 수준이었는데, 이를 한층 끌어올리는 데 성공했다.</p> <p contents-hash="b15e2990c9d1f547ef2c50e87c10448892083484f5d50a22e8e73f532764a8ff" dmcf-pid="4HAWqtRfIp" dmcf-ptype="general">수율은 전체 생산 제품 중 양품 비중을 뜻한다. 80% 수율은 D램을 100개 생산한다면 이 중 80개가 양품이라는 의미다.</p> <p contents-hash="486fba98bd83d55d6179757bec0e4ff458d84b988a3e1a7b5bb87b5cb6e1dc99" dmcf-pid="8XcYBFe4s0" dmcf-ptype="general">수율이 높아야 시장에 공급할 수 있는 제품도 많아져 수익성을 높일 수 있다. 통상 D램의 안정적 수율은 80~90%로 본다. 이 수준에 도달해야 D램 수익을 극대화할 수 있다.</p> <p contents-hash="820c6f0018795547bb64271a82f1c488cf2d74b75ef48ed98b309bc16ca98802" dmcf-pid="6ZkGb3d8E3" dmcf-ptype="general">사안에 밝은 업계 관계자는 “5월 경에는 1c D램 수율이 90% 수준에 도달할 것”이라며 “높은 수율을 토대로 반도체 수익성을 크게 높일 수 있을 것”이라고 전했다.</p> <p contents-hash="15e4e9b04cbcc3cbb531e27a160cdc3d797cd1e80c95595fe288364d0404e4dc" dmcf-pid="P5EHK0J6OF" dmcf-ptype="general">최근 D램값이 고공행진하면서 영업이익이 크게 나고 있는데, 삼성전자는 안정적 수율을 앞세워 마진을 더 끌어올릴 수 있게 됐다.</p> <p contents-hash="5d10b75ddf8a07df2ddc612f5ccb0cee1063d23e8b5f863d22c0026fc345255b" dmcf-pid="Q1DX9piPst" dmcf-ptype="general">1c D램을 근간으로 만드는 'HBM4' 수율도 개선됐다. 현재 삼성전자 HBM4 수율은 60%에 육박한 것으로 확인됐다. 지난해 4분기에는 50% 수준이었다.</p> <p contents-hash="eecec3335b703e2dc0c2936d189ec1dcd928606362a46fdb54d8e9be3bcd845e" dmcf-pid="xtwZ2UnQs1" dmcf-ptype="general">1c D램은 삼성전자의 전략 제품이다. 11~12㎚ 회로 선폭을 가진 D램으로 전영현 삼성전자 DS부문장(부회장)이 진두지휘해 설계 개선을 단행한 바 있다. D램의 근원적 경쟁력을 확보하기 위한 조치로, D램을 쌓아 만드는 HBM 역량까지 한 번에 높이기 위해 대대적인 변화를 줬다. 이번 수율은 그 성과가 가시화한 대표 사례다.</p> <p contents-hash="916fe234dd949cadc82e9a96c537d196c5b1639af8cfd71bff62b5a0c97f32ee" dmcf-pid="yoBiOA5Tm5" dmcf-ptype="general">삼성전자는 1c D램 생산능력(캐퍼)도 대폭 끌어올리고 있다. 지난해 말 웨이퍼 기준 월 6만장 수준이었던 1c D램 생산능력을 올 하반기까지 월 20만장으로 늘릴 방침이다. 기존 D램 라인을 1c 라인으로 전환하고 평택 4공장(P4) 중심으로 증설이 이뤄지고 있다.<br></p> <figure class="figure_frm origin_fig" contents-hash="1bf597fc994adb45efd3667e16be23d2ebb2fe17a32b074b6e74aa1deca7d4c9" dmcf-pid="WgbnIc1yOZ" dmcf-ptype="figure"> <p class="link_figure"><img alt="지난 10월 열린 제27회 반도체대전에서 참관객이 삼성전자 6세대 고대역폭 메모리 'HBM4'를 살펴보고 있다. 이동근기자 foto@etnews.com" class="thumb_g_article" data-org-src="https://t1.daumcdn.net/news/202602/23/etimesi/20260223170250966kdyg.jpg" data-org-width="700" dmcf-mid="KUX2oxIkmq" dmcf-mtype="image" height="auto" src="https://img3.daumcdn.net/thumb/R658x0.q70/?fname=https://t1.daumcdn.net/news/202602/23/etimesi/20260223170250966kdyg.jpg" width="658"></p> <figcaption class="txt_caption default_figure"> 지난 10월 열린 제27회 반도체대전에서 참관객이 삼성전자 6세대 고대역폭 메모리 'HBM4'를 살펴보고 있다. 이동근기자 foto@etnews.com </figcaption> </figure> <p contents-hash="2b022f991dadc9264171af4dea49c09a856fa8d23bce62187ca9c78c7bdaf2ae" dmcf-pid="YdUMDoYCDX" dmcf-ptype="general">이는 궁극적으로 수율과 생산능력을 앞세워 D램과 HBM 시장 경쟁 우위를 되찾겠다는 의지로 읽힌다. 현재 SK하이닉스 HBM4는 이전 세대인 1b D램을 토대로 제조하고 있다. 삼성전자가 한 세대 앞선 D램으로 승부를 보려는 것으로 풀이된다. 미국 마이크론이 1c D램에 해당하는 1감마(γ)로 HBM4를 만들지만 생산능력은 삼성전자에 크게 밀린다.</p> <p contents-hash="2fd70cb19504b31f4c72ba0fe9b6e9a8d28f2789bb1c34e271d598fbcdb1478e" dmcf-pid="GJuRwgGhDH" dmcf-ptype="general">또 다른 업계 관계자는 “삼성전자가 D램뿐만 아니라 HBM 시장 주도권을 탈환하기 위해 1c D램 사업을 공격적으로 전개 중”이라며 “경쟁사 대비 앞선 기술력과 생산능력을 앞세워 대대적인 시장 공세에 나설 것”이라고 말했다.</p> <p contents-hash="b6893abf2427de669b0aa35aa4040c782f293558153cb124991ed103738135d9" dmcf-pid="Hi7eraHlEG" dmcf-ptype="general">〈용어설명〉1c D램</p> <p contents-hash="28d466a9b8bb1b914ef26a65e976001b75ec43b19b7e741945a0a8c5feae6a4f" dmcf-pid="XnzdmNXSEY" dmcf-ptype="general">10나노미터(㎚) 대 회로 선폭을 가진 D램 중 가장 최신 제품. 반도체는 회로 선폭이 얇을수록 집적도가 높아져 성능과 전력 효율이 개선된다. 10㎚대는 1세대인 1x부터 1y(2세대), 1z(3세대), 1a(4세대), 1b(5세대), 1c(6세대) 순으로 진화하고 있다. 현재 메모리 제조사가 양산하는 D램 중 가장 최신인 1c D램의 회로선폭은 11~12㎚ 수준이다.</p> <p contents-hash="9928c773bf22783bbb27cd608e7c8162b47ea879632bf5c624fa48599e675ae0" dmcf-pid="ZLqJsjZvOW" dmcf-ptype="general">권동준 기자 djkwon@etnews.com</p> </section> </div> <p class="" data-translation="true">Copyright © 전자신문. 무단전재 및 재배포 금지.</p> 관련자료 이전 세계는 AI 모델 개발 속도전…1년에서 최단 1~2개월로 단축 02-23 다음 [우리가 AX 주역] 〈77〉카이로스랩, 소재 특화 '데이터 파운드리' 시대 연다 02-23 댓글 0 등록된 댓글이 없습니다. 로그인한 회원만 댓글 등록이 가능합니다.
