인텔, 차세대 메모리 'ZAM' 기술 장벽 쌓는다…특허 선제 확보 작성일 02-19 41 목록 <div id="layerTranslateNotice" style="display:none;"></div> <div class="article_view" data-translation-body="true" data-tiara-layer="article_body" data-tiara-action-name="본문이미지확대_클릭"> <section dmcf-sid="3rk35tlwm9"> <figure class="figure_frm origin_fig" contents-hash="7302f0960cb287048c1940c2956b22999db239ef594ad280030d7b9d456bb91b" dmcf-pid="0mE01FSrOK" dmcf-ptype="figure"> <p class="link_figure"><img alt="'의사 분할 다이 메모리 접근을 위한 방법 및 장치(US20260017215A1)'" class="thumb_g_article" data-org-src="https://t1.daumcdn.net/news/202602/19/etimesi/20260219140346093udjt.png" data-org-width="700" dmcf-mid="GsO5GXOcIQ" dmcf-mtype="image" height="auto" src="https://img1.daumcdn.net/thumb/R658x0.q70/?fname=https://t1.daumcdn.net/news/202602/19/etimesi/20260219140346093udjt.png" width="658"></p> <figcaption class="txt_caption default_figure"> '의사 분할 다이 메모리 접근을 위한 방법 및 장치(US20260017215A1)' </figcaption> </figure> <p contents-hash="03e5b0f53504277246cb25345292d4a9584d53926dbb5c3cdecc4820da678ac2" dmcf-pid="psDpt3vmOb" dmcf-ptype="general">인텔이 고대역폭메모리(HBM) 대안으로 주목받는 'Z 앵글 메모리(ZAM)' 핵심 특허를 잇따라 확보했다. 인공지능(AI) 메모리 전력 소모와 발열을 획기적으로 줄일 수 있는 기술로, 지식재산권을 선점해 후발주자들의 추격을 가로막으려는 전략으로 분석된다.</p> <p contents-hash="b04f05ccff8aa0acfe28f65fc805443771550cc5ae8dc2083fdacc4c978b5d8b" dmcf-pid="UOwUF0TswB" dmcf-ptype="general">업계에 따르면, 인텔은 최근 미국에서 '의사 분할 다이 메모리 접근을 위한 방법 및 장치(US20260017215A1)' 특허를 공개했다. 인텔이 소프트뱅크와 공동 개발 중인 ZAM 구동에 대한 특허다.</p> <p contents-hash="70f7648dccb180cdd5f948bc6832c952e7378d4f0803f6fc7a0a51f1e5a0fddb" dmcf-pid="uIru3pyODq" dmcf-ptype="general">ZAM은 HBM처럼 D램을 수직으로 쌓아 구현하는 차세대 메모리다. HBM과 다른 점은 D램끼리 데이터를 주고받는 실리콘관통전극(TSV) 수를 대폭 줄였다는 것이다. 중심이 되는 TSV를 두고 사선 형태(Z)의 회로 배선으로 각 D램을 연결하는 구조다.</p> <p contents-hash="f3db6e25ac536a0e7d0a83afa084cb31ba0976988eed7679e47d22279102c087" dmcf-pid="7Cm70UWImz" dmcf-ptype="general">이번에 공개한 특허는 ZAM을 구성하는 각 D램 반도체(다이)를 한번에 구동하지 않고, 필요한 부분만 분할 활성화하는 것이 골자다. D램 적층구조의 가장 큰 취약점인 발열과 전력 소모를 해결하기 위한 개념이다. 또 회로 배선을 세밀하게 나누어 속도(대역폭)을 끌어올리는 효과도 거둘 수 있다.</p> <p contents-hash="15771c3180e5358c073a1c277d06e97398b76b5c500d3fba83a3d9cb8fc83cf2" dmcf-pid="zhszpuYCO7" dmcf-ptype="general">이 특허는 작년 인텔이 공개한 '복수의 다이 대 다이(Die-to-Die) 상호연결 구조를 갖는 패키지 기판을 포함하는 마이크로 전자 어셈블리'의 후속적 성격을 가지고 있다. 기존 특허가 ZAM의 구조적 뼈대를 제안한 것이라면, 이번은 이를 운용할 수 있는 방법을 제시했다. 인텔은 '후면 상호 연결을 위한 자기 정렬 비아 패턴 형성'이라는 ZAM 공정 기술 특허도 확보했다.<br></p> <figure class="figure_frm origin_fig" contents-hash="cac369b1eed6d3d0ef4e0e2c3205ffdb7a2bed7726af3f98654753b06c33ded6" dmcf-pid="qlOqU7Ghsu" dmcf-ptype="figure"> <p class="link_figure"><img alt="인텔의 '복수의 다이 대 다이(Die-to-Die) 상호연결 구조를 갖는 패키지 기판을 포함하는 마이크로 전자 어셈블리' 특허 도면" class="thumb_g_article" data-org-src="https://t1.daumcdn.net/news/202602/19/etimesi/20260219140347320hmqm.jpg" data-org-width="700" dmcf-mid="tRS01FSrDV" dmcf-mtype="image" height="auto" src="https://img3.daumcdn.net/thumb/R658x0.q70/?fname=https://t1.daumcdn.net/news/202602/19/etimesi/20260219140347320hmqm.jpg" width="658"></p> <figcaption class="txt_caption default_figure"> 인텔의 '복수의 다이 대 다이(Die-to-Die) 상호연결 구조를 갖는 패키지 기판을 포함하는 마이크로 전자 어셈블리' 특허 도면 </figcaption> </figure> <p contents-hash="43d8787e8ab3138555120ae161bf30fff96d98887275dd0c565ac833a5f09d06" dmcf-pid="BSIBuzHlmU" dmcf-ptype="general">일련의 특허는 인텔이 ZAM 기술 권리를 선점, 진입 장벽을 높이려는 시도로 풀이된다. 경쟁자가 유사한 구조로 차세대 메모리를 개발하더라도 인텔 특허를 우회할 방법을 모색해야한다는 의미다.</p> <p contents-hash="f6ab30c4d7e20b09833b9044699d90e2c19d96f55ef386f4e7253f1a0404e633" dmcf-pid="bsDpt3vmOp" dmcf-ptype="general">인텔은 일본 소프트뱅크와 협력, 소프트뱅크 자회사 사이메모리와 함께 ZAM를 개발하고 있다. 기존 HBM과 견줘 전력 소비를 40~50% 줄이는 것이 목표다. Z-앵글 구조로 제조 공정을 단순화해 생산성을 높이고, ZAM 칩 당 용량도 키울 계획이다. 인텔은 ZAM 구현을 위한 새로운 반도체 패키징 기술 'NGDB'도 함께 개발 중이다.</p> <p contents-hash="78822e0492c7f7a8ea39ed8125cce6fb00b8453d3dd809ff700de6974fdddc5a" dmcf-pid="KOwUF0TsE0" dmcf-ptype="general">상용화 목표는 2029~2030년이다. 인텔은 이달 일본에서 열린 '인텔 커넥션 재팬 2026' 행사에서 ZAM 프로토타입을 처음으로 공개한 바 있다.</p> <p contents-hash="8a4128379cfbe74ac0d3344fee08d88e01b4660721cb92a34bebc2f1a88bba8e" dmcf-pid="9Iru3pyOE3" dmcf-ptype="general">업계 관계자는 “HBM의 가장 큰 기술 허들은 발열과 전력 소모”라며 “인텔이 ZAM을 통해 D램 적층 구조 뿐만 아니라 AI 반도체 안에서의 배치 등 전반적인 혁신을 추진하고 있어 HBM 판도를 흔들지 주목된다”고 밝혔다.<br></p> <figure class="figure_frm origin_fig" contents-hash="cc50dd9eb5e36a9aa0765aa6c8e80f24394cf42cd7710821f07732d79d65830a" dmcf-pid="2Cm70UWIwF" dmcf-ptype="figure"> <p class="link_figure"><img alt="HBM과 ZAM 구조 비교(사진=세미비전)" class="thumb_g_article" data-org-src="https://t1.daumcdn.net/news/202602/19/etimesi/20260219140348549popm.png" data-org-width="700" dmcf-mid="FGoHyYrNr2" dmcf-mtype="image" height="auto" src="https://img3.daumcdn.net/thumb/R658x0.q70/?fname=https://t1.daumcdn.net/news/202602/19/etimesi/20260219140348549popm.png" width="658"></p> <figcaption class="txt_caption default_figure"> HBM과 ZAM 구조 비교(사진=세미비전) </figcaption> </figure> <p contents-hash="b2a03614e8bd580f282c6331e00d1e28526930d361f2c3054d163342605008cd" dmcf-pid="VhszpuYCEt" dmcf-ptype="general">권동준 기자 djkwon@etnews.com</p> </section> </div> <p class="" data-translation="true">Copyright © 전자신문. 무단전재 및 재배포 금지.</p> 관련자료 이전 사흘 만에 완판 이끈 '카톡×챗GPT 프로' 대란…추가 판매할까 02-19 다음 이 대통령, 쇼트트랙 여자 계주 금메달 쾌거에 "깊은 축하 전한다" 02-19 댓글 0 등록된 댓글이 없습니다. 로그인한 회원만 댓글 등록이 가능합니다.
