‘HBM4 최초 양산’ 삼성전자, 차세대 리더십 확보 정조준 [반도체레이다] 작성일 02-14 52 목록 <div id="layerTranslateNotice" style="display:none;"></div> <div class="article_view" data-translation-body="true" data-tiara-layer="article_body" data-tiara-action-name="본문이미지확대_클릭"> <section dmcf-sid="Pg94RcRfWj"> <figure class="figure_frm origin_fig" contents-hash="7566b1047cb3ee5ff7d92da88dd8a0c4b34216a7aef1c9d70e3615685233110b" dmcf-pid="Qa28eke4WN" dmcf-ptype="figure"> <p class="link_figure"><img class="thumb_g_article" data-org-src="https://t1.daumcdn.net/news/202602/14/552796-pzfp7fF/20260214115328206kury.jpg" data-org-width="640" dmcf-mid="8LrIypyOTc" dmcf-mtype="image" height="auto" src="https://img1.daumcdn.net/thumb/R658x0.q70/?fname=https://t1.daumcdn.net/news/202602/14/552796-pzfp7fF/20260214115328206kury.jpg" width="658"></p> </figure> <p contents-hash="13fe0a54a47b5302b61a574580628f833c9323ccdd49ba9ce674818701c8401b" dmcf-pid="xNV6dEd8Ca" dmcf-ptype="general">[디지털데일리 고성현기자] 세계 최초로 6세대 고대역폭메모리 'HBM4'를 양산 출하한 삼성전자가 대대적인 반격에 나선다. 이번 양산 출하로 최첨단 HBM 시장 내 입지를 회복하는 한편, 차세대 HBM 로드맵 이행으로 기존 '초격차' 기조를 확대하겠다는 목표다.</p> <p contents-hash="c36bfd6f06090e7f4c1caa23333976c29b92a6814e72d51fc029c3b2011c424f" dmcf-pid="y0ISHzHlhg" dmcf-ptype="general">13일 업계에 따르면 삼성전자는 HBM4를 양산 출하했다고 전날 12일 밝혔다.</p> <p contents-hash="37b8591366bee3307c147ab83dd492d8a8e4b47746b042e263ce6679901be792" dmcf-pid="WpCvXqXSTo" dmcf-ptype="general">삼성전자가 출하한 HBM4는 기술 경쟁력을 고려해 국제반도체표준협의회(JEDEC)에 명시된 기준을 상회하는 성능으로 설계됐다. 10㎚급 6세대(1c) 공정 기반 D램을 도입해 전력효율과 집적도를 높였고, HBM 전력·신호를 제어하는 베이스 다이에 4㎚급 공정을 활용해 성능도 향상시켰다.</p> <p contents-hash="4b95b542c68fc38e83011de6f84a770fa807416481799c01ce41b78afd68f2ec" dmcf-pid="YUhTZBZvyL" dmcf-ptype="general">구체적으로 이번에 생산된 HBM4는 JEDEC 표준인 8Gbps를 약 46% 넘어서는 11.7Gbps 속도를 확보했고 최대 13Gbps까지 대응할 수 있도록 설계됐다. 메모리 대역폭은 전작(HBM3E)보다 2.7배 높아진 최대 3.3TB/s 수준으로 끌어올렸고 고객사 요구 수준인 3.0TB/s를 상회하도록 했다.</p> <p contents-hash="315b2f4f5c57921ce6d237dfeee7f8fe178bcf41d01893c123b56fc8808b67d1" dmcf-pid="Guly5b5TTn" dmcf-ptype="general">이번 삼성전자의 HBM4 양산은 뒤처졌던 메모리 경쟁력을 회복하기 위한 신호로 해석된다. 삼성전자는 SK하이닉스에 HBM 주도권을 내준 이래, 주요 고객사인 엔비디아로의 HBM 공급 진입을 위한 시도를 이어왔다. 하지만 1b(10㎚급 5세대) D램 설계 이슈에 따른 1a(10㎚급 4세대) D램 적용과 부족한 성능 등이 발목을 잡으며 성과 확보에 어려움을 겪었다.</p> <p contents-hash="f7d9ef88b2d040f7a45e7c717bd26881b54b09b54c2e6109518bbde3cc9cadbb" dmcf-pid="HByH3V3GSi" dmcf-ptype="general">그러던 지난해 상황이 달라졌다. 거듭된 재설계 끝에 HBM3E 성능을 끌어올리고, 엔비디아 품질 테스트에서 성과를 내며 일부 납품을 시작한 것이다. 이밖에 브로드컴, AMD 등 글로벌 팹리스로의 공급도 가시화했다.</p> <p contents-hash="957e810ddef2e0299a93ebea64a1c7b0d7468572bbb0206727c2c2cf8a9b5823" dmcf-pid="XbWX0f0HWJ" dmcf-ptype="general">반도체 업계에서는 삼성전자가 이번 HBM4 출하를 시작으로 뒤처졌던 메모리 기술 '초격차' 확보에 시동을 걸 것으로 봤다. 1c D램 생산능력을 확보해 HBM4 물량을 확대하는 한편, HBM4 16단 및 HBM4E(7세대)까지 입지를 넓히겠다는 목표다.</p> <p contents-hash="e73ee3b9db6cefba5386b27fca92516a84fddcfb3cb447fa8df54429df23b78e" dmcf-pid="ZKYZp4pXWd" dmcf-ptype="general">특히 자체적으로 보유한 시스템반도체 설계·생산 역량을 십분 활용하겠다는 방침도 드러냈다. HBM4부터 적용되는 베이스 다이 고도화를 시작으로 상용화될 커스텀 HBM에서도 시너지를 낼 계획이다.</p> <div contents-hash="026bd42a06b371a801d30ba47f583e36517186008ddc84c16c3a9c4ddc81351b" dmcf-pid="59G5U8UZhe" dmcf-ptype="general"> 커스텀 HBM은 고객사의 xPU 성능에 맞춰 설계한 HBM 아키텍처를 뜻한다. 엔비디아의 GPU 외 각기 다른 AI 가속기가 등장하는 만큼, 그 특징에 따라 인터페이스나 전력 등을 맞추겠다는 의미다. </div> <figure class="figure_frm origin_fig" contents-hash="c9fc0a52070ab09844c65a9882334f1e139c2e5c88c5931a7f825bda99b65a60" dmcf-pid="12H1u6u5CR" dmcf-ptype="figure"> <p class="link_figure"><img class="thumb_g_article" data-org-src="https://t1.daumcdn.net/news/202602/14/552796-pzfp7fF/20260214115328553qqtx.jpg" data-org-width="640" dmcf-mid="6lH1u6u5TA" dmcf-mtype="image" height="auto" src="https://img4.daumcdn.net/thumb/R658x0.q70/?fname=https://t1.daumcdn.net/news/202602/14/552796-pzfp7fF/20260214115328553qqtx.jpg" width="658"></p> </figure> <p contents-hash="6600113969a8e8bfbe76b39f106f859560425f09a8da933bd6405ea14b6ad78f" dmcf-pid="tVXt7P71CM" dmcf-ptype="general">11일 서울 코엑스에서 열린 '세미콘 코리아 2026'에서는 삼성전자가 지향하는 커스텀 HBM 개발 로드맵의 일면이 제시되기도 했다.</p> <p contents-hash="9d937ef28e4c3e52bd64e4f0ba994a11c7b4c06ac7fe1cda05b586ec4dbd42dd" dmcf-pid="FfZFzQztCx" dmcf-ptype="general">당시 기조연설에 나선 송재혁 삼성전자 최고기술책임자(CTO) 사장은 "입출력 물리계층(I/O PHY)을 다이 간 연결(Die to Die) 구조로 바꾸고 (HBM 컨트롤러를 베이스 다이에 넣어) 에너지를 더 많이 확보할 수 있는 커스텀 HBM을 준비 중"이라며 "이때 I/O 채널 길이를 60% 가량 단축시켜 전력을 절반 이상 줄일 수 있는 실험 결과도 확보하고 있다"고 밝혔다.</p> <p contents-hash="9040cbaea40ec387a45691b42dda61aa330463f01abcb17a59d32e43f67ebc04" dmcf-pid="3453qxqFlQ" dmcf-ptype="general">여기에 독자적인 설계 구조를 갖춘 '삼성 cHBM'도 소개했다. 송 CTO는 "GPU가 담당하는 일정 역할을 (HBM) 베이스 다이가 담당해 고객의 필요성, 즉 스피드나 전력 효율성을 만족시키는 방향으로 삼성 cHBM을 준비하고 있다"고 설명했다.</p> <p contents-hash="4615e777cbae149547ec5ae0f8419fe80d5ab449e36704521b8ba80a4098005b" dmcf-pid="0nB2QNQ9TP" dmcf-ptype="general">이는 HBM과 xPU 간 데이터 처리 일관성을 확대해 AI 연산 능력을 향상시키겠다는 의도로 풀이된다. 고객사의 컴퓨팅 IP를 베이스 다이에도 넣어 일종의 프로세싱인메모리(PIM)를 구현하겠다는 뜻이다.</p> <p contents-hash="940ad4eb9cb12bbd2078c14f1b65fc9fd4f67e9089a470a762443d4161320b75" dmcf-pid="pLbVxjx2S6" dmcf-ptype="general">패키징 분야에서는 차기 HBM에 대한 하이브리드 본딩(HCB: Hybrid Copper Bonding) 적용 의지도 표명했다. 하이브리드 본딩은 칩과 칩을 연결할 때 쓰는 마이크로 범프 없이 직접 연결하는 기술이다. 마이크로 범프를 없애면 적층 단수를 늘릴 수 있는 것은 물론, 전기 저항에 따른 발열이나 신호지연도 줄일 수 있다.</p> <p contents-hash="36d1368a2bb5a9116212c35cae60b456959937bb835d6e79ecc55659a4858862" dmcf-pid="UoKfMAMVy8" dmcf-ptype="general">송 CTO는 "어느 시점에 실제로 HCB가 적용될지는 모르나, 가장 사업화에 효과적인 방향으로 준비해 나갈 것"이라고 말했다.</p> </section> </div> <p class="" data-translation="true">Copyright © 디지털데일리. All rights reserved. 무단 전재 및 재배포 금지.</p> 관련자료 이전 “K-팝 팬덤 시청 필수” 첫방 ‘응답하라 하이스쿨’ 커뮤니티 장악 02-14 다음 지금까지 이런 피겨는 없었다. 평생 아쉬움 남긴 차준환 [밀라노 올림픽] 02-14 댓글 0 등록된 댓글이 없습니다. 로그인한 회원만 댓글 등록이 가능합니다.
