삼성, SK하이닉스 제치고 'HBM4' 세계 최초 양산 출하… "1c D램⋅4나노 파운드리 초격차 통했다" 작성일 02-12 38 목록 <div id="layerTranslateNotice" style="display:none;"></div> <strong class="summary_view" data-translation="true">[반도체레이다]</strong> <div class="article_view" data-translation-body="true" data-tiara-layer="article_body" data-tiara-action-name="본문이미지확대_클릭"> <section dmcf-sid="qDRI95b0lB"> <p contents-hash="7e47238f28c4e4e9272cd537af85520e415aed05b29401861fe81552faf5695f" dmcf-pid="BweC21KpSq" dmcf-ptype="general"><strong>JEDEC 표준 46% 상회하는 11.7Gbps 속도 구현</strong></p> <p contents-hash="f57dd00fab43a5ed0975510977526f60f15305aaee37f9b12cb7d0df28bb61ac" dmcf-pid="brdhVt9UCz" dmcf-ptype="general"><strong>메모리·파운드리·패키징 ‘원스톱 솔루션’ 위력 발휘</strong></p> <p contents-hash="1449ac24f1514e906b6d1f53e2418aa4967d6ab5ab08118b2a1924658390de22" dmcf-pid="KmJlfF2uh7" dmcf-ptype="general"><strong>2026년 매출 3배 확대 목표</strong></p> <figure class="figure_frm origin_fig" contents-hash="40d13336db42e6d3c6db525090487ae02d2d8a56b21218c84879f7c4d8a22c6d" dmcf-pid="9siS43V7Tu" dmcf-ptype="figure"> <p class="link_figure"><img class="thumb_g_article" data-org-src="https://t1.daumcdn.net/news/202602/12/552796-pzfp7fF/20260212151630592fyxs.jpg" data-org-width="640" dmcf-mid="7qRj3ltWyK" dmcf-mtype="image" height="auto" src="https://img3.daumcdn.net/thumb/R658x0.q70/?fname=https://t1.daumcdn.net/news/202602/12/552796-pzfp7fF/20260212151630592fyxs.jpg" width="658"></p> </figure> <p contents-hash="45f7da45187b2b5db65ff43c29d1d4960f9ca7350e5205d373922912a67a352d" dmcf-pid="2Onv80fzWU" dmcf-ptype="general">[디지털데일리 배태용기자] 삼성전자가 차세대 AI 메모리인 HBM4(6세대 고대역폭메모리)를 세계 최초로 양산 출하하며 HBM(고대역폭메모리) 시장의 판도를 뒤집을 승부수를 던졌다. 그간 HBM3E(5세대) 시장에서 SK하이닉스에 주도권을 내줬던 삼성전자가 차세대인 HBM4에서 가장 먼저 양산 테이프를 끊으며 '메모리 초격차'의 부활을 알린 것이다.</p> <p contents-hash="fa5f7606dd98f1d8e039aff7f45691e161ae1408b230c0b8dad4e437715933f4" dmcf-pid="VILT6p4qTp" dmcf-ptype="general">삼성전자는 업계 최고 성능의 HBM4 양산을 시작하며 본격적인 시장 선점에 나선다고 12일 밝혔다. 이번 HBM4 양산은 단순한 제품 출시를 넘어 삼성전자가 보유한 '메모리-파운드리-패키징'의 턴키(Turn-key) 역량이 결집된 결과물로 평가된다.</p> <p contents-hash="3ca9825aa8622fb022abca95ae96e1bfa3668e90ad046ac5abf5b84799150f32" dmcf-pid="fCoyPU8By0" dmcf-ptype="general"><strong>◆ "SK하이닉스보다 빨랐다"… 1c D램⋅4나노 파운드리로 ‘성능⋅수율’ 동시 잡았다</strong></p> <p contents-hash="1eafba289ac678bd059717cb631069e51b3f097929b6ab726048d55a802c417f" dmcf-pid="4TAXeBMVy3" dmcf-ptype="general">이번 삼성전자 HBM4의 핵심 경쟁력은 '공정 혁신'에 있다. 삼성전자는 업계의 관행을 깨고 최선단 공정인 1c(10나노급 6세대) D램을 선제적으로 도입했다. 통상 신규 HBM에는 안정적인 구형 공정 D램을 사용하는 경우가 많지만, 삼성은 과감하게 최신 공정을 적용해 성능 한계를 돌파했다.</p> <p contents-hash="8fdf29d7ea97fad14ed361202ec4178fb324943f73e5d02bc51015e2032a4bf1" dmcf-pid="8ycZdbRflF" dmcf-ptype="general">여기에 HBM의 '두뇌' 역할을 하는 베이스 다이(Base Die)에는 삼성 파운드리의 4나노 공정을 적용했다. 경쟁사들이 외부 파운드리에 의존해야 하는 것과 달리 자체 파운드리 역량을 활용해 설계 최적화와 전력 효율을 극대화한 것이다.</p> <p contents-hash="42b788c6daa01ecbe1d32d258d75c01460d3f244a0dcd89080d586e4b7bce7ee" dmcf-pid="6Wk5JKe4vt" dmcf-ptype="general">황상준 삼성전자 메모리개발담당 부사장은 "검증된 공정만 쓰던 전례를 깨고 1c D램과 파운드리 4나노 등 최선단 기술을 적용했다"며 "이를 통해 고객의 높아진 성능 요구를 적기에 충족하고 설계 변경 없이 양산 초기부터 안정적인 수율을 확보했다"고 자신감을 드러냈다.</p> <p contents-hash="9658840ff460c07cb2a3625f3efde3d8b9a0bb813450879a8d28440683ea398d" dmcf-pid="PYE1i9d8l1" dmcf-ptype="general"><strong>◆ JEDEC 표준 뛰어넘는 괴물 스펙… "데이터 병목, 우리가 뚫는다"</strong></p> <p contents-hash="0be36e91a0ac36a335609a4cd480c45788b14a7f90df5942a58c5d350f03277c" dmcf-pid="QGDtn2J6T5" dmcf-ptype="general">스펙 면에서도 '세계 최고' 타이틀을 거머쥐었다. 삼성전자 HBM4는 JEDEC(국제반도체표준협의기구) 표준인 8Gbps를 약 46% 상회하는 11.7Gbps의 데이터 처리 속도를 구현했다. 최대 13Gbps까지 확장이 가능해 AI 모델 거대화로 인한 데이터 병목 현상을 해소할 핵심 키(Key)가 될 전망이다.</p> <p contents-hash="35dacc8d2a427bfecd536e4893b7d2bec0fb640fe5565aab64a4f9d20ba4d93b" dmcf-pid="xHwFLViPvZ" dmcf-ptype="general">단일 스택 기준 대역폭은 전작(HBM3E) 대비 2.7배 향상된 초당 3.3TB(테라바이트)에 달한다. 용량 역시 12단 적층 기준 36GB를 제공하며 향후 16단 적층을 통해 최대 48GB까지 확장할 계획이다.</p> <p contents-hash="e84fdcb3512ff0cb660c57a1be59b2d8f2745c973eb222b92dab5a60b7655dd8" dmcf-pid="ydBg1IZvyX" dmcf-ptype="general">특히 데이터 입출구(I/O) 핀 수가 기존 1024개에서 2048개로 2배 늘어남에 따라 발생할 수 있는 발열 문제는 '저전력 설계'로 잡았다. 코어 다이와 TSV(실리콘 관통 전극) 구동 전압을 낮추고 전력 분배 네트워크(PDN)를 최적화해 전 세대 대비 에너지 효율을 40% 개선하고 방열 특성도 30% 높였다.</p> <figure class="figure_frm origin_fig" contents-hash="5ee2cd48373a06930da9cf75c21f6e03fa59bf66e449427e978c766d9bf766cf" dmcf-pid="WJbatC5TWH" dmcf-ptype="figure"> <p class="link_figure"><img class="thumb_g_article" data-org-src="https://t1.daumcdn.net/news/202602/12/552796-pzfp7fF/20260212151631967ocuf.jpg" data-org-width="640" dmcf-mid="z2Bg1IZvvb" dmcf-mtype="image" height="auto" src="https://img4.daumcdn.net/thumb/R658x0.q70/?fname=https://t1.daumcdn.net/news/202602/12/552796-pzfp7fF/20260212151631967ocuf.jpg" width="658"></p> </figure> <p contents-hash="32a98c325cd09b324424c0147cc111cc72ddf618e3bffdde9af6e9f50a72e74d" dmcf-pid="Yeqo5OXSvG" dmcf-ptype="general"><strong>◆ "2026년 매출 3배 폭증"… 평택 5라인 가동해 '물량 공세' 예고</strong></p> <p contents-hash="5a968e2d99209ad71bdbd3e47a53eb93825c24b38b1387d90f961b69475decb3" dmcf-pid="GdBg1IZvWY" dmcf-ptype="general">삼성전자는 이번 HBM4 세계 최초 양산을 기점으로 시장 점유율 탈환에 속도를 낸다. 회사 측은 2026년 HBM 매출이 전년(2025년) 대비 3배 이상 폭증할 것으로 내다봤다.</p> <p contents-hash="636da7232ba1cad31c5759679366d443db08f9e9eae93387efef6911d6469713" dmcf-pid="HJbatC5TyW" dmcf-ptype="general">이를 위해 삼성전자는 2028년부터 가동될 평택사업장 2단지 5라인을 HBM 핵심 생산 거점으로 삼고 선제적인 인프라 투자를 단행하고 있다. 이미 확보된 클린룸과 업계 최대 수준의 D램 생산 능력을 바탕으로 폭발하는 HBM 수요에 즉각 대응하겠다는 전략이다.</p> <p contents-hash="ef3b61979855770e21c2cc7627b82f89f3dea27e75f6c1dbaac83ddd59a36c13" dmcf-pid="XiKNFh1yCy" dmcf-ptype="general">또한 삼성전자는 HBM4에 이어 개량형인 'HBM4E' 샘플을 2026년 하반기에 출하하고 고객 맞춤형인 '커스텀(Custom) HBM' 역시 2027년부터 순차적으로 선보이며 기술 리더십을 이어갈 방침이다.</p> <p contents-hash="b6ada3ea6e91f2ae9d922311e6e5b91bd8b298fae4d2f4b8e15a0144b6e08531" dmcf-pid="Zn9j3ltWTT" dmcf-ptype="general">업계 관계자는 "SK하이닉스가 주도하던 HBM 시장에서 삼성전자가 HBM4 '세계 최초 양산'이라는 타이틀을 가져온 것은 상징적인 의미가 크다"며 "특히 1c D램과 4나노 파운드리라는 초격차 기술을 앞세운 만큼 향후 수율 안정화와 고객사 최종 인증 결과에 따라 HBM 시장의 패권이 다시 삼성으로 넘어올 가능성도 커졌다"고 분석했다.</p> </section> </div> <p class="" data-translation="true">Copyright © 디지털데일리. 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