SK하이닉스·마이크론, HBM4 엔비디아 공급 ‘최종 시험대’… 삼성전자는 테스트 일정 앞당기기 총력전

작성일 09-05

<div id="layerTranslateNotice" style="display:none;"></div> SK하이닉스·마이크론, 엔비디아 품질 테스트 막바지 단계 SK하이닉스, 이르면 이달 중 내년 상반기 물량 협상 마무리 삼성전자, 경쟁사 대비 테스트 일정 두 달가량 늦어 공급 협상 늦어지면 물량·가격 불리… HBM4 성능 우위 강조 
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 <img alt="SK하이닉스가 세계 최초로 샘플을 공급한 HBM4 12단 이미지./SK하이닉스 제공" class="thumb_g_article" data-org-src="https://t1.daumcdn.net/news/202509/05/chosunbiz/20250905060206468khpo.jpg" data-org-width="754" dmcf-mid="6shyI0o9of" dmcf-mtype="image" height="auto" src="https://img3.daumcdn.net/thumb/R658x0.q70/?fname=https://t1.daumcdn.net/news/202509/05/chosunbiz/20250905060206468khpo.jpg" width="658">
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 SK하이닉스가 세계 최초로 샘플을 공급한 HBM4 12단 이미지./SK하이닉스 제공
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 SK하이닉스와 마이크론이 이달 엔비디아에 공급하는 6세대 고대역폭메모리(HBM4) 테스트 최종 단계에 돌입할 것으로 전해졌다. 품질 테스트에서 가장 앞선 SK하이닉스는 엔비디아와 이르면 이 내년 상반기 HBM4 공급 계약을 마무리할 것으로 알려졌다. 삼성전자는 경쟁사 대비 두 달가량 테스트 일정이 늦어 이를 앞당기기 위해 총력전을 펼치고 있는 것으로 파악된다.
 SK하이닉스와 마이크론이 이달 계획 중인 HBM4 품질 테스트는 CS(Customer Sample) 단계로, 엔비디아가 내년 출시할 AI 반도체 ‘루빈 플랫폼’에 실제 탑재될 HBM4 규격에 최적화돼 제조됐는지를 최종 검증하는 작업이다. HBM4의 설계와 기능이 정상적으로 작동하는지 확인하는 ES(Engineering Sample)의 다음 단계로 사실상 품질 테스트의 막바지에 이른 것이다.
 ◇ SK하이닉스·마이크론, 엔비디아와 이달 중 최종 테스트
 5일 업계에 따르면, SK하이닉스와 마이크론은 이달 엔비디아에 HBM4 12단 최종 샘플을 제출할 계획인 것으로 알려졌다. SK하이닉스는 HBM4 공급 협상을 마무리 짓기 위해 가격과 공급 일정 등을 최종 조율할 방침인 것으로 파악된다. 삼성전자는 SK하이닉스와 마이크론 대비 두 달 정도 테스트 일정이 늦은 상태지만, 기술력을 빠른 속도로 끌어올려 테스트 일정을 앞당길 수 있도록 노력 중인 것으로 전해졌다.
 현재 엔비디아에 공급하는 HBM4에 가장 앞서있는 회사 SK하이닉스다. 통상적으로 최종 샘플을 제출한 뒤, 제품의 최종 인증까지는 6개월 이상이 소요되는 것으로 알려졌다. 다만, 메모리 반도체 기업의 설비 투자와 양산 일정 등을 고려해 적기에 제품을 공급받을 수 있도록 공급 계약 등은 최종 인증에 앞서 진행되는 것으로 전해졌다. SK하이닉스는 엔비디아에 공급하는 HBM3E(5세대 HBM) 12단 초도 물량을 독점 공급했다. HBM4 초도 물량의 상당 부분도 SK하이닉스가 납품할 것이란 전망이 우세하다.
 손인준 흥국증권 연구원은 “HBM4의 공급 일정을 고려할 때 9월 중 SK하이닉스와 엔비디아 간 내년 상반기 HBM 공급 물량 계약이 완료될 가능성이 높다”며 “CS 테스트 일정을 고려할 때 SK하이닉스가 높은 초기 점유율을 확보할 것으로 보인다”고 설명했다.
 ◇ 삼성전자, HBM 발열 문제·수율 등 안정화
 엔비디아로의 HBM 납품에 번번히 고배를 마신 삼성전자는 HBM4 테스트 일정도 SK하이닉스와 마이크론에 뒤진 상황이다. 최종 테스트 일정에서 밀려 가장 늦게 공급 협상에 돌입하게 되면 납품 물량에 한계가 있을 뿐만 아니라, 경쟁사 대비 가격 협상력이 떨어질 수밖에 없다. 이 같은 이유로 삼성전자는 테스트 일정을 앞당기기 위해 사활을 걸고 있는 것으로 전해진다.
 삼성전자는 HBM4 성능 측면에서 경쟁사에 우위를 점할 수 있다는 자신감을 내비친 것으로 알려졌다. 삼성전자는 HBM4의 두뇌를 담당하는 ‘로직 다이’에 파운드리(반도체 위탁생산) 4㎚(나노미터·1㎚는 10억분의 1m) 공정을 적용해 성능과 전력 효율 등을 개선했다. SK하이닉스는 TSMC 12㎚ 공정을, 마이크론은 12㎚급 D램 공정을 로직 다이에 적용하는 것으로 파악됐다. 삼성전자는 HBM4에 적층되는 D램도 가장 앞선 세대의 제품을 적용한 상태다. 그동안 HBM 양산에 문제로 지적됐던 발열 문제와 수율도 상당 부분 안정화한 것으로 확인됐다.
 반도체 업계 관계자는 “삼성전자가 HBM의 핵심인 로직 다이에 파운드리 4㎚ 공정을 적용했을 뿐만 아니라, HBM에 적층되는 D램도 10나노급 6세대(1c, 11~12㎚급)를 활용했다”며 “로직 다이에 12㎚ 공정과 10㎚급 5세대(1b, 11~12㎚급)를 적용하는 SK하이닉스 대비 성능에서 우위를 점하기 위한 전략”이라고 설명했다.
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