“3nm 이후 공정은 무엇을 바꾸고 있는가”…KBSI, 저손상 정밀 가공 기술로 차세대 공정 대응

작성일 07-22

<div id="layerTranslateNotice" style="display:none;"></div>  
        <div class="article_view" data-translation-body="true" data-tiara-layer="article_body" data-tiara-action-name="본문이미지확대_클릭"> 
         <section dmcf-sid="YPqG9VNfrD">
          <figure class="figure_frm origin_fig" contents-hash="a065069440fa58bf2a581d0c72dae8b8149949131f5b2463f003fb451c53ef64" dmcf-pid="GQBH2fj4mE" dmcf-ptype="figure">
           <p class="link_figure"><img class="thumb_g_article" data-org-src="https://t1.daumcdn.net/news/202507/22/etimesi/20250722153347972rump.jpg" data-org-width="600" dmcf-mid="WhTcGXVZDw" dmcf-mtype="image" height="auto" src="https://img4.daumcdn.net/thumb/R658x0.q70/?fname=https://t1.daumcdn.net/news/202507/22/etimesi/20250722153347972rump.jpg" width="658"></p>
          </figure>
          <p contents-hash="1ae177da11458f5178498dbb5de852cc3d8326048cb43b36fcc4c9ee83945d84" dmcf-pid="HxbXV4A8sk" dmcf-ptype="general">한국기초과학지원연구원(이하 KBSI)이 차세대 반도체 및 디스플레이 산업의 공정 패러다임 전환에 대응하기 위해 초정밀 표면처리 기술을 개발하며 주목받고 있다.</p>
          <p contents-hash="1d797c6aeb74a72daf3cf8a7d5fbc65e2856736d4133082e243258fc0f1e7df9" dmcf-pid="XMKZf8c6mc" dmcf-ptype="general">3nm 이하 미세공정이 현실화되면서 반도체 및 디스플레이 산업은 '정밀 가공'을 넘어 구조 보호, 소재 안정성, 표면 제어의 복합적 과제에 직면했다. EUV 리소그래피 상용화, 박막 다층화, 유기물 및 화합물 소재의 확산은 기존 공정 기술의 복잡성과 민감도를 크게 높였으며 특히, High-k/Low-k, SiC 등 차세대 소재, OLED 및 마이크로LED와 같은 정밀 구조에서는 기계적 손상, 열적 변형, 식각 선택성 문제가 수율과 직결되는 핵심 이슈로 떠오르고 있다.</p>
          <p contents-hash="f586967d1f28104926355ec377953bab54c296bc36dac2bf6efb5940dd58af0e" dmcf-pid="ZR9546kPEA" dmcf-ptype="general">기존 플라즈마 기반 공정은 여전히 유효하지만, 에너지가 높은 단일 이온에 의존하는 방식은 미세 구조나 민감한 재료에 손상을 유발할 수 있어 한계점이 있다. 이에 따라 공정 기술의 평가 기준은 “얼마나 정밀하게 깎느가”보다 “얼마나 손상 없이 처리하는가”로 전환되는 추세다.</p>
          <p contents-hash="099d4dcdca469672ab799a28610237032c1a18319eb7eff105d6bc1a4cd2177f" dmcf-pid="5e218PEQmj" dmcf-ptype="general">이러한 흐름 속에서 저에너지 기반의 비접촉식 표면 처리 기술이 새로운 공정 전략으로 떠올랐다. 최근에는 단순 개념을 넘어, 산업 현장에서 실증된 데이터 기반의 기술이 늘고 있다. 예컨대, 수천 개의 저에너지 분자로 구성된 클러스터 이온을 활용해 박막을 정교하게 다듬는 방식은 OLED의 유기막 보호, 실리콘 기반 기판에서의 식각 정밀도 개선 등 다양한 분야에서 실질적 개선 효과를 입증한 바 있다. 관련 기술은 이미 특허로 확보되었으며 기술이전 사례도 나타나 공정의 신뢰성 확보와 수율 향상으로 이어지고 있다.</p>
          <p contents-hash="da85605f44580f0df9ae79e732efc4606ea46148360e9455fe2de6649adec23f" dmcf-pid="1i43QMrRIN" dmcf-ptype="general">KBSI는 기체 클러스터 이온빔(GCIB: Gas Cluster Ion Beam) 기반 기술에 대한 원천 특허를 보유하고 기술이전 실적을 확보했다. 특히, OLED, Si 기반 소재에서 실제 데이터를 기반으로 한 공정 실증을 마치고 산업계와의 협업을 통해 기술 상용화까지 구체화하고 있다.</p>
          <p contents-hash="9e22ac5e691fcba31d420d714dd7c97ba2c455c43989dcaac9583a01729f56de" dmcf-pid="tn80xRmewa" dmcf-ptype="general">또한, 기체 클러스터 이온빔을 포함한 저손상 정밀 가공 기술을 바탕으로 차세대 반도체 및 디스플레이 공정의 방향성에 부합하는 핵심 기술 플랫폼을 구축해 나갈 방침이라고 밝혔다. 해당 과정에서 기술 개발과 실증 기반의 산업 연계는 한국기초과학지원연구원이 주도하며, 다래전략사업화센터가 기술사업화 용역을 수행할 예정이다.</p>
          <p contents-hash="1cfd3291cdf2acb949b89be0e4546c2a2e9b694f4558b8f73e5cfd49ac812072" dmcf-pid="FL6pMesdsg" dmcf-ptype="general">KBSI 관계자는 “앞으로의 공정 기술은 단순 장비 업그레이드가 아니라, 산업 구조 전체를 고려한 기술 선택의 문제가 될 것”이라며 “초미세 공정, 유기소재, 복합소재가 혼재하는 상황에서 '덜 깎고, 더 유지하는' 공정 전략은 수율, 비용, 신뢰성 확보의 핵심 요소가 될 수 있다. 공정은 이제 단순 제조 기술이 아니라, 전략 자산이 될 것”이라고 전했다.</p>
          <p contents-hash="dfa444789ce050785288d0445ab1182d9d5c7a266bcc24bcc73e12b8ac3159d1" dmcf-pid="3oPURdOJwo" dmcf-ptype="general">임민지 기자 minzi56@etnews.com</p>
         </section> 
        </div> 
        <p class="" data-translation="true">Copyright © 전자신문. 무단전재 및 재배포 금지.</p>

이전

기계연 “K-AI 휴머노이드, 개방형 데이터 팩토리 만든다”

07-22
다음

中, 메모리부터 시스템반도체까지 전방위 韓 추격

07-22

등록된 댓글이 없습니다.

로그인한 회원만 댓글 등록이 가능합니다.

먹튀폴리스

“3nm 이후 공정은 무엇을 바꾸고 있는가”…KBSI, 저손상 정밀 가공 기술로 차세대 공정 대응

멤버랭킹

관련자료

멤버랭킹