프랙틸리아 “2나노 반도체 양산, '스토캐스틱' 제어가 좌우”

작성일 07-17

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         <section dmcf-sid="YAOoxqiBIC">
          <figure class="figure_frm origin_fig" contents-hash="5203cc080c98361367649227f224593edd1f8a955a2243152bc147cd2b9a97fa" dmcf-pid="GcIgMBnbmI" dmcf-ptype="figure">
           <p class="link_figure"><img alt="에드워드 샤리에 프랙틸리아 공동 창립자 겸 최고경영자(CEO)" class="thumb_g_article" data-org-src="https://t1.daumcdn.net/news/202507/17/etimesi/20250717130845027ouvu.png" data-org-width="700" dmcf-mid="x1SAJ2aVDS" dmcf-mtype="image" height="auto" src="https://img3.daumcdn.net/thumb/R658x0.q70/?fname=https://t1.daumcdn.net/news/202507/17/etimesi/20250717130845027ouvu.png" width="658"></p>
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            에드워드 샤리에 프랙틸리아 공동 창립자 겸 최고경영자(CEO)
           </figcaption>
          </figure>
          <p contents-hash="f66158ee750d74432c845513db62d902fdfa7697eede9593fe93124b35991f0b" dmcf-pid="HkCaRbLKmO" dmcf-ptype="general">2나노미터(㎚) 이하 첨단 반도체를 양산하기 위해서는 무작위 결함 '스토캐스틱'을 제어할 수 있어야 한다는 주장이 나왔다.</p>
          <p contents-hash="d9a5126799af8348cc5d99c5724d1fd8c633052428fbdecdd217ffaecb311d2a" dmcf-pid="XEhNeKo9ms" dmcf-ptype="general">에드워드 샤리에 프랙틸리아 최고경영자(CEO)는 16일 서울 중구 프레지던트 호텔에서 기자간담회를 갖고 “2㎚ 이하 첨단 공정 노드는 과거보다 수율 상승 속도가 더 느리다”며 “수율 개선이 지연된다면 생산성 저하로 팹(Fab)당 하루 최대 5000만 달러(약 693억원) 손실이 발생할 수 있다”고 밝혔다.</p>
          <p contents-hash="c3c9cf9fbe5fa72267e7158b151b52c7b62bf084a63041401c12f4e07aaca2de" dmcf-pid="ZDljd9g2Om" dmcf-ptype="general">이어 “이러한 현상이 발생하는 이유 중 하나는 '스토캐스틱'으로, 2나노 이하에서는 공정 조건이 동일하더라도 결과물에서 미세하게 다른 패턴 또는 결함이 발생하는 스토캐스틱 영향이 매우 커진다”고 설명했다.</p>
          <p contents-hash="5316160ec4c7a05e5286e4240c34e385ba804e041953872a6dc5fc6d46c72bb1" dmcf-pid="5wSAJ2aVOr" dmcf-ptype="general">스토캐스틱 격차는 EUV 노광 공정에서 발생하는 무작위적(확률적) 결함으로 연구실에서 얻어지는 이론적 성능과 실제 양산 환경에서의 성능 차이가 크게 나타나는 현상을 의미한다.<br></p>
          <figure class="figure_frm origin_fig" contents-hash="a533567cc7d85d5c34ee14f69d1ac6caccb2ad07716c2b3e985634abf4977070" dmcf-pid="1CGraPEQOw" dmcf-ptype="figure">
           <p class="link_figure"><img alt="현재 극자외선(EUV) 공정의 스토캐스틱 해상도 격차는 약 5나노미터 수준이다. (제공: 프랙틸리아)" class="thumb_g_article" data-org-src="https://t1.daumcdn.net/news/202507/17/etimesi/20250717130846295ecei.jpg" data-org-width="700" dmcf-mid="Wd6UXO3IEh" dmcf-mtype="image" height="auto" src="https://img3.daumcdn.net/thumb/R658x0.q70/?fname=https://t1.daumcdn.net/news/202507/17/etimesi/20250717130846295ecei.jpg" width="658"></p>
           <figcaption class="txt_caption default_figure">
            현재 극자외선(EUV) 공정의 스토캐스틱 해상도 격차는 약 5나노미터 수준이다. (제공: 프랙틸리아)
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          </figure>
          <p contents-hash="3c9b0001f3db44121d0f333ac71c29c42f4265765f3f427aac32f9df9823ba47" dmcf-pid="thHmNQDxED" dmcf-ptype="general">프랙틸리아는 EUV 장비가 한 차례 노광으로 12㎚까지 구현 가능하지만 실제 양산 환경을 고려하면 17㎚로 설계해야 하는 상황이라고 분석하면서, 5㎚의 스토캐스틱 격차를 줄여야 생산성과 수율을 높여 수익을 극대화할 수 있다고 강조했다.</p>
          <p contents-hash="dc6af65a1eec611ec2164810a23a89720eb936f5d6648198ff1a6027216eb5e5" dmcf-pid="FlXsjxwMIE" dmcf-ptype="general">프랙틸리아는 반도체 스토캐스틱 측정·제어 솔루션 업체다. △선 가장자리 거칠기(LER) △선 폭 거칠기(LWR) △국부적 치수 균일도(LCDU) △선 위치 오차(LEPE) 등을 정밀하게 측정하고 통계적으로 분석한 뒤 공정변수와 장비 설정값을 미세 조정해 수율을 개선하는 것이다.</p>
          <p contents-hash="fde3bd0e38f0be66b35861c98dbe82184635dfba15f8de41c6e41f941e48184e" dmcf-pid="3SZOAMrRDk" dmcf-ptype="general">샤리에 CEO는 “스토캐스틱은 첨단 반도체 제조 산업이 직면한 주요한 한계”라며 “스토캐스틱 측정·제어할 수 있다면 칩의 성능과 수율을 동시에 확보할 수 있다”고 말했다.</p>
          <p contents-hash="1c122577d8ebdbff6cfb26a3e8af77696de60022cf0ab362b9bab82457c147ed" dmcf-pid="0v5IcRmeEc" dmcf-ptype="general">박진형 기자 jin@etnews.com</p>
         </section> 
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        <p class="" data-translation="true">Copyright © 전자신문. 무단전재 및 재배포 금지.</p>

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